T9KC650603DH 时间：2025/8/7 8:51:09 阅读：13

T9KC650603DH 是一款由东芝（Toshiba）推出的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，通常用于高功率、高频开关应用。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及电池供电设备等应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（VDSS）：60V
　　最大漏极电流（ID）：60A
　　导通电阻（Rds(on)）：约2.9mΩ（典型值，VGS=10V）
　　栅极电荷（Qg）：约85nC
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：TO-247
　　功率耗散（PD）：300W

特性

T9KC650603DH MOSFET具有多项显著的电气和热性能优势。首先，其低导通电阻（Rds(on)）能够显著降低导通损耗，提高系统效率，这在高电流应用中尤为重要。其次，该器件具备高电流承载能力，额定漏极电流达到60A，使其适用于大功率负载管理。此外，T9KC650603DH采用了东芝先进的沟槽式结构技术，提升了开关性能，降低了开关损耗。
　　在热管理方面，该器件的TO-247封装提供了良好的散热性能，确保在高功率条件下仍能稳定工作。同时，其宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C）使其适用于严苛环境下的工业和汽车电子应用。该器件还具备良好的抗雪崩能力，增强了系统的可靠性和耐用性。
　　从应用角度来看，T9KC650603DH适用于多种高功率电子系统，如工业电源、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、电机驱动器以及电动车电源管理系统。其优异的性能指标使其成为设计工程师在高功率密度和高效率应用中的首选器件。

应用

T9KC650603DH MOSFET广泛应用于需要高效能功率开关的场合。在工业领域，该器件常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器以及工业自动化设备的功率管理模块。其高电流能力和低导通电阻也使其非常适合用于电机驱动器和负载开关电路。
　　在汽车电子领域，T9KC650603DH可用于电动车（EV）和混合动力车（HEV）的电池管理系统（BMS）、车载充电器（OBC）以及DC-DC转换模块。其高可靠性和宽温度范围确保其在严苛环境下的稳定运行。
　　此外，该器件也可用于消费类电子产品中的高功率应用，如高性能笔记本电脑适配器、大功率LED驱动器以及智能家居设备中的电机控制模块。