2SK286 是一款由日本东芝(Toshiba)公司生产的N沟道功率MOSFET,主要用于高功率开关应用。该器件具有较高的电流承载能力和较低的导通电阻,适用于电源转换器、电机驱动器以及各类高频开关电源设备。其封装形式为TO-220AB,便于散热和安装,适用于各种电子设备中的功率控制。
类型:N沟道MOSFET
漏极-源极电压(Vds):900V
漏极-源极击穿电压(BVdss):900V
栅极-源极电压(Vgs):±30V
连续漏极电流(Id):7A
功耗(Pd):80W
导通电阻(Rds(on)):1.5Ω
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
存储温度范围:-55°C ~ +150°C
2SK286 具有优异的功率处理能力和高耐压特性,适用于高电压和高电流的应用环境。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET结构,能够在高电压条件下保持较低的导通损耗,提高整体系统的效率。此外,其低导通电阻(Rds(on))有助于减少开关过程中的能量损耗,从而提高系统稳定性并降低散热需求。
这款MOSFET具备良好的热稳定性和过载能力,能够在极端工作条件下保持稳定运行。其TO-220AB封装形式不仅便于安装,还提供了良好的散热性能,适用于多种工业级应用。2SK286 的栅极驱动电压范围较宽,允许使用标准的驱动电路进行控制,提高了设计的灵活性。此外,该器件还具备较强的抗干扰能力和较高的可靠性,适用于长期运行的工业设备和电源系统。
2SK286 广泛应用于各类高功率电子设备中,特别是在需要高电压和高电流处理能力的场合。常见的应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制电路、照明镇流器、逆变器以及各类工业自动化设备中的功率控制模块。由于其优异的电气性能和良好的热稳定性,该器件也常用于高频电源和节能电源系统中,作为主要的功率开关元件。此外,2SK286 还适用于需要长时间稳定运行的设备,如UPS不间断电源、电焊机和工业加热装置等。
2SK1530, 2SK1335, IRF840, IRF830