时间：2025/8/9 19:23:31
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2SK2808-01MR是一款由东芝（Toshiba）公司制造的N沟道增强型功率MOSFET，常用于高频率开关应用，如DC-DC转换器、电源管理和电机驱动电路。该器件采用小型表面贴装封装，适用于需要高效率和紧凑设计的电子设备。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：10V
最大连续漏极电流(Id)：100mA（在Vgs=10V时）
导通电阻(Rds(on))：约3.5Ω（在Vgs=10V时）
最大功耗(Pd)：200mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：SOT-343（4引脚）
2SK2808-01MR MOSFET具有低导通电阻和快速开关特性，使其在高频开关电源中表现出色。其小型封装设计非常适合高密度PCB布局，同时保持良好的热性能。该器件还具有良好的耐压能力和低漏电流，确保在高温和高负载条件下稳定运行。此外，该MOSFET具有高可靠性和耐用性，适用于长时间运行的工业和消费类电子产品。
2SK2808-01MR广泛应用于DC-DC转换器、电源管理模块、低功率电机控制电路、便携式电子设备和LED照明驱动电路。由于其快速开关特性和小尺寸封装，它也适用于需要高效能和空间紧凑的嵌入式系统。
2SK2807-01MR, 2SK3018, 2SK2626, 2SK2674
