类型：NPN双晶体管阵列
　　封装/包装：SOT-23（TO-236AB）
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　最大发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（Pd）：300mW
　　直流电流增益（hFE）：100 ~ 400（测试条件：IC = 1mA, VCE = 1V）
　　饱和电压（VCE(sat)）：≤300mV（测试条件：IC = 10mA, IB = 1mA）
　　过渡频率（fT）：200MHz
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

CPH6414-TL-E具备优异的高频响应能力，其典型过渡频率（fT）达到200MHz，使其非常适合用于高频信号放大、射频前端处理以及高速开关应用。这一特性确保了在数字逻辑电路或脉冲信号处理中能够实现快速的开启与关断，降低开关损耗，提高系统效率。
　　该器件的两个NPN晶体管在电气特性上具有良好的匹配性，这对于差分放大器、推挽输出级或电流镜等需要对称性能的应用至关重要。晶体管之间的热耦合效应也较小，但由于共用同一封装，仍能保持相近的工作温度，有助于维持电路的稳定性与一致性。
　　CPH6414-TL-E的低饱和电压（VCE(sat)）特性显著提升了其作为开关元件的效率。在驱动LED、继电器或逻辑电平转换等应用中，较低的导通压降意味着更少的能量损耗和更低的发热，有利于提高整体系统的能效和长期可靠性。
　　该器件采用SOT-23封装，体积小巧，适合自动化贴片生产，满足现代电子产品对小型化和高集成度的需求。同时，其引脚排列符合行业通用标准，便于PCB布局布线，并可与其他品牌如ON Semiconductor、Diodes Incorporated等厂商的兼容型号互换使用。
　　CPH6414-TL-E的工作温度范围宽广，从-55°C到+150°C，使其不仅适用于常规商业环境下的设备，也能胜任部分工业控制、汽车电子等对环境适应性要求较高的应用场景。此外，器件符合RoHS指令且不含卤素，支持绿色环保制造流程。

CPH6414-TL-E常用于各类需要双NPN晶体管配置的电路设计中。在便携式消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，它被广泛应用于LED背光驱动、LCD偏压生成、音频信号放大及电源路径控制等功能模块。
　　在通信设备中，该器件可用于信号调理、电平转换和接口隔离电路，尤其适用于USB、I2C、UART等低速串行总线的缓冲与驱动。其高频特性也使其可用于射频开关或天线调谐电路中的控制部分。
　　在工业控制和自动化系统中，CPH6414-TL-E可用于传感器信号放大、光电耦合器驱动、继电器或MOSFET栅极驱动等场合。其稳定的增益特性和良好的温度适应性保障了在复杂电磁环境下的可靠运行。
　　此外，在电源管理系统中，该器件可作为低压差稳压器（LDO）的使能控制开关、电池充电状态指示驱动或负载切换开关使用。其低静态功耗和高开关速度有助于延长电池寿命并提升系统响应能力。
　　由于其双晶体管结构，CPH6414-TL-E还适用于构建达林顿对、互补反馈对（Sziklai pair）或简单的振荡电路，为模拟电路设计提供灵活的选择。

MMBT3904DW1T1G
　　FMMT211-7-F
　　ZXTN2110V8TA