EMB80P03J 时间：2025/8/14 2:43:08 阅读：21

EMB80P03J 是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电流和高功率应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了能效。EMB80P03J 是一款P沟道MOSFET，通常用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等场景。

参数

类型：P沟道MOSFET
　　最大漏极电压（Vds）：80V
　　最大栅极电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：80A
　　导通电阻（Rds(on)）：3mΩ @ Vgs = 10V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-247AD

特性

EMB80P03J 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），仅为3毫欧姆，这使得该器件在高电流应用中具有较低的功率损耗。此外，该MOSFET采用了东芝先进的沟槽栅极技术，提高了栅极控制能力，增强了器件的稳定性和可靠性。
　　该器件的额定漏极电压为80V，最大连续漏极电流可达80A，适用于中高功率应用。栅极电压范围为±20V，支持较高的驱动电压以确保完全导通。EMB80P03J 采用TO-247AD封装，具有良好的散热性能，适用于需要高功率密度的设计。
　　EMB80P03J 还具有快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高系统效率。同时，该器件具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，适用于工业级和汽车电子等对可靠性要求较高的应用场景。

应用

EMB80P03J 主要应用于高功率电源系统，如DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统和负载开关电路。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效电源转换系统的理想选择。
　　在电动汽车和混合动力汽车领域，EMB80P03J 可用于车载充电器、电机驱动器和能量管理系统。此外，该器件也适用于工业自动化设备、服务器电源、通信设备电源模块以及太阳能逆变器等高可靠性应用场合。
　　由于其良好的热管理和高频开关特性，EMB80P03J 也常被用于高性能电源设计中，如同步整流、负载切换和功率因数校正（PFC）电路。该器件在多种高功率应用场景中均可提供优异的性能和稳定性。