时间：2025/7/22 13:32:14
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STD3PK50Z是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于各种电子设备中，用于实现高效的功率控制。该器件采用了先进的技术，具有低导通电阻、高耐压和快速开关特性，适用于高频率开关电源、电机控制、照明系统以及各种电源管理应用。其封装形式为TO-220，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：500V
连续漏极电流（ID）：3A
导通电阻（RDS(on)）：约2.5Ω（典型值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V至4V
功率耗散（PD）：50W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-220
STD3PK50Z的主要特性之一是其低导通电阻，这使得器件在导通状态下的功率损耗较低，从而提高了整体系统的效率。此外，该MOSFET具备高耐压能力，漏源电压可达500V，适合用于高压应用。其快速开关特性减少了开关损耗，提高了系统的工作频率和响应速度。器件还具备良好的热稳定性和过载保护能力，能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。
另外，STD3PK50Z的封装设计优化了散热性能，确保在高电流条件下仍能保持较低的温度上升。这种TO-220封装形式不仅便于安装在散热片上，还具有良好的机械强度和电气隔离性能。器件的栅极驱动要求较低，适合与多种控制电路配合使用。同时，其内部结构设计减少了寄生电容，从而进一步提高了开关速度和效率。
该MOSFET还具备较强的抗雪崩击穿能力，能够在瞬态过电压情况下提供额外的保护，增强了系统的可靠性和稳定性。这种特性使得STD3PK50Z在电源转换、电机驱动等应用中表现出色。
STD3PK50Z广泛应用于多种电力电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器、电机控制电路、LED照明驱动器、家电控制模块以及工业自动化设备中的功率开关。此外，该器件还可用于电池管理系统、逆变器和不间断电源（UPS）等需要高效功率控制的场合。
STD4NK50Z, STF3NK50Z, STP3NK50Z
