2SK2806 时间：2025/8/9 17:15:32 阅读：32

2SK2806 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，适用于高频率开关应用。该器件采用先进的平面条纹结构，具备低导通电阻和优异的热稳定性，广泛应用于DC-DC转换器、电源管理系统、电机驱动器等电力电子设备中。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压(Vds)：60V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：50A
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　导通电阻(Rds(on))：最大 0.018Ω
　　封装形式：TO-220

特性

2SK2806 的主要特点之一是其低导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。在高频率工作条件下，该器件的开关损耗也相对较低，使其适用于高频开关电源设计。
　　此外，2SK2806 具有良好的热性能，能够在高电流负载下保持稳定工作，同时具备较强的过热保护能力。其±20V的栅源电压耐受能力提供了更大的驱动灵活性，并增强了对误操作或电压尖峰的容忍度。
　　该MOSFET采用TO-220封装，具有良好的散热性能，适用于需要高功率密度的设计。此外，其封装形式也便于安装在散热片上，从而进一步提升散热效率。
　　2SK2806 还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定运行，提高了器件的可靠性与耐用性。

应用

2SK2806 主要用于各种电源转换系统中，如DC-DC转换器、同步整流器、电机控制器以及电池管理系统等。其高效率和高可靠性的特点也使其成为工业自动化设备、汽车电子系统和消费类电子产品中的理想选择。在电动车、太阳能逆变器和UPS系统中也有广泛的应用。此外，由于其高频响应特性，该器件常被用于开关电源（SMPS）设计中，以提升整体能效。