时间：2025/9/7 13:32:21
阅读：6
90G2018EB是一款高性能的射频功率晶体管，主要用于高功率射频放大器应用。该器件采用了先进的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术，提供了优异的射频性能和可靠性。其设计适用于通信基础设施、广播系统、工业和医疗设备等高功率应用领域。90G2018EB能够在很宽的频率范围内工作，同时保持高效率和线性度，使其成为现代无线通信系统中的关键组件之一。
类型：射频功率晶体管
技术：LDMOS
最大漏极电流：18A
最大漏源电压：65V
工作频率范围：1.8MHz - 60MHz
最大输出功率：90W
增益：20dB（典型值）
封装类型：TO-247
热阻（结到壳）：1.0°C/W
工作温度范围：-65°C至+150°C
封装材料：塑料
90G2018EB具有多项优异的电气和物理特性，适合各种高功率射频应用。首先，该器件采用先进的LDMOS技术，具备高增益和高线性度，能够有效提升信号放大器的性能。其宽频率范围（1.8MHz至60MHz）使得它能够在多种通信系统中灵活使用，包括广播、短波通信和工业设备。
其次，90G2018EB的最大输出功率可达90W，适用于需要高功率输出的系统，同时保持较低的失真和高效率。其典型的增益为20dB，使得信号放大更加稳定可靠，减少了后续电路的设计复杂性。
此外，该晶体管的封装形式为TO-247，具备良好的散热能力，热阻为1.0°C/W，有助于在高功率工作条件下维持较低的结温，提高器件的稳定性和寿命。其工作温度范围为-65°C至+150°C，能够在极端环境下保持稳定性能，适用于工业级和军用级应用。
最后，90G2018EB的漏源电压为65V，漏极电流最大可达18A，具备较强的抗过载能力，适用于高电压和高电流的电路设计。这些特性使得该晶体管在高功率放大器、射频加热设备和医疗射频系统中具有广泛的应用前景。
90G2018EB广泛应用于多个高功率射频系统中，特别是在广播和通信基础设施中。例如，它常用于FM广播发射机、短波通信系统和工业射频加热设备。此外，该晶体管也适用于医疗射频治疗设备，如射频消融仪，提供稳定的高功率输出以满足治疗需求。
在通信领域，90G2018EB可以用于构建高功率射频放大器，以支持蜂窝基站、无线接入点和卫星通信设备。其宽频率范围和高线性度使其成为多频段通信系统中的理想选择。同时，该器件的高可靠性和耐高温特性也使其适用于恶劣环境下的户外通信设备。
工业应用方面，90G2018EB可应用于射频测试设备、雷达系统和等离子体发生器等高功率设备。其良好的散热性能和高功率处理能力使其能够长时间稳定运行，满足工业设备对可靠性和耐久性的要求。
MRF150, RD16HHF1, 2SC2290
