时间：2025/9/7 2:53:25
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2SK2752WV 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型MOSFET晶体管，广泛应用于高频开关电路和电源管理系统中。这款MOSFET具有低导通电阻、高开关速度和优异的热稳定性，适用于各种高效率功率转换器设计。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：20V
最大漏极电流（ID）：6A
导通电阻（RDS(on)）：0.038Ω（最大值，VGS=10V）
功率耗散（PD）：2W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：SOP-8
2SK2752WV MOSFET的主要特性之一是其低导通电阻，这使得在高电流条件下能够有效降低功率损耗，提高系统效率。
此外，该器件具有高开关速度，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等。
其栅极驱动电压范围较宽，能够在4.5V至20V之间正常工作，适应不同的控制电路设计需求。
该MOSFET还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定运行，适用于高可靠性要求的应用场景。
封装形式为SOP-8，体积小巧，便于在紧凑型电路板中布局安装。
2SK2752WV MOSFET广泛应用于各种电子设备中，特别是在需要高效功率转换和控制的场景。
例如，它可用于设计DC-DC降压或升压转换器，提供高效率的电压调节方案。
在电池管理系统中，该MOSFET可用作充放电控制开关，实现对电池状态的精确管理。
此外，它还适用于电机驱动、LED驱动和负载开关等应用，满足不同功率控制需求。
由于其高频率响应特性，该器件也可用于音频功率放大器中的开关电源部分，提高音频系统的整体效率。
2SK3084, 2SK2626
