容量：4GB
　　接口类型：8位 NAND 接口
　　工作电压：2.7V - 3.6V
　　读取速度：最大50MB/s
　　写入速度：最大15MB/s
　　擦除速度：最大2ms
　　封装类型：TSOP
　　引脚数量：48-pin
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

H27U4G8F2ETR-BC NAND闪存芯片具备多项先进的技术特性，确保其在各种应用环境中的稳定性和高效性。首先，它支持ECC（错误校正码）功能，能够在数据读取过程中自动检测和纠正错误，从而提高数据的可靠性和完整性。其次，该芯片具有坏块管理功能，可以在制造过程中识别并标记不可靠的存储块，防止数据写入到这些区域，延长芯片的使用寿命。
　　此外，H27U4G8F2ETR-BC 支持多平面操作，允许在不同的存储平面上同时执行读取、写入或擦除操作，显著提高存储访问效率。该芯片还支持页缓存编程（Cache Program）功能，通过在内部缓存中暂存数据来加速写入过程，从而提高整体性能。
　　该芯片采用低功耗设计，在待机模式下功耗极低，非常适合用于电池供电设备。同时，其宽温工作范围（-40°C 至 +85°C）使其适用于各种工业环境。H27U4G8F2ETR-BC 采用48引脚TSOP封装，便于在PCB上布局和焊接，适用于大规模量产应用。

H27U4G8F2ETR-BC 主要用于嵌入式系统中，作为大容量数据存储介质。它常见于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、MP3播放器、数码相机等，用于存储操作系统、应用程序以及用户数据。此外，该芯片也可用于工业控制设备、车载导航系统、安防监控设备等对存储稳定性有较高要求的领域。
　　由于其支持ECC校正和坏块管理，H27U4G8F2ETR-BC 也适用于需要高可靠性的工业控制系统和数据采集设备。在嵌入式多媒体卡（eMMC）和固态硬盘（SSD）设计中，该芯片可以作为主存储单元，与主控芯片配合使用，构建完整的存储解决方案。
　　该芯片的低功耗特性也使其成为物联网（IoT）设备和智能穿戴设备的理想选择。在这些设备中，存储芯片需要在有限的电池容量下保持长时间运行，而H27U4G8F2ETR-BC 的节能设计正好满足这一需求。

H27U4G8F5CTR-BC, H27U1G8F2ETR-BC, K9F4G08U0A, H27UCG8T2ETR-BC