2SK2695 时间：2025/8/9 14:23:14 阅读：40

2SK2695是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效开关性能的电路中。该器件由东芝（Toshiba）制造，采用高密度单元设计，具备低导通电阻和高速开关能力。2SK2695的封装形式为TO-220，适用于多种功率电子设备，包括电源转换器、电机驱动器以及DC-DC变换器等。

参数

类型: N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds): 60V
　　栅源电压(Vgs): ±20V
　　漏极电流(Id): 30A（连续）
　　功耗(Pd): 150W
　　导通电阻(Rds(on)): 42mΩ（最大值）
　　工作温度范围: -55°C ~ 150°C
　　封装形式: TO-220
　　存储温度范围: -55°C ~ 150°C

特性

2SK2695具有多项优异特性，使其在功率MOSFET市场中备受青睐。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下最小的能量损耗，从而提高了整体系统的效率。该器件的高速开关性能有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用。
　　此外，2SK2695的封装形式为TO-220，这种封装不仅提供了良好的散热性能，还具有较高的机械强度，能够承受较大的安装应力。TO-220封装也便于安装在散热片上，以进一步提升散热效率。
　　这款MOSFET采用了东芝的高密度单元设计技术，确保了器件在高电流下的稳定性和可靠性。其最大漏源电压为60V，最大漏极电流可达30A，适用于中高功率应用场合。
　　2SK2695的工作温度范围为-55°C至150°C，适应性强，能够在各种环境条件下稳定运行。此外，其栅源电压范围为±20V，确保了在不同驱动条件下器件的安全运行。

应用

2SK2695由于其高性能和高可靠性，广泛应用于多个领域。在电源管理方面，它常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器以及电池管理系统中，以实现高效的能量转换。
　　在电机控制领域，2SK2695可用于驱动直流电机和步进电机，其快速开关特性和低导通电阻能够提高电机的响应速度并减少发热。此外，该器件还适用于负载开关电路，用于控制高功率负载的通断。
　　在汽车电子系统中，2SK2695可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及其他需要高功率密度和高可靠性的场合。
　　工业自动化设备中，该MOSFET可用于PLC模块、工业电源以及自动化控制系统中的功率开关部分。其优异的热稳定性和封装散热性能使其在高温环境下也能保持良好的工作状态。