型号：QG6321 SL97Q
　　封装形式：SOP-8/DIP-8
　　集成MOSFET耐压：650V
　　工作电压范围：10V~22V
　　启动电流：<5μA
　　静态工作电流：<2mA
　　开关频率：65kHz±10%
　　占空比限制：最大80%
　　反馈方式：原边反馈（PSR）
　　控制模式：电流模式PWM/PFM自适应
　　保护功能：过压保护（OVP）、过流保护（OCP）、短路保护（SCP）、过温保护（OTP）
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C

QG6321 SL97Q具备多项先进电源管理特性，使其在小功率开关电源领域具有较强的竞争力。首先，其内置650V高压MOSFET大大简化了电源设计，无需外接高压启动电阻，缩短了启动时间，并提高了系统可靠性。芯片采用电流模式控制架构，具备快速的动态响应能力和良好的环路稳定性，能够在输入电压波动或负载突变时保持输出稳定。其原边反馈技术通过检测变压器辅助绕组的电压波形，精确估算输出电压和电流，从而实现±5%以内的电压调节精度和±8%的恒流精度，适用于对精度要求不极端但追求成本效益的应用场景。
　　在能效方面，QG6321 SL97Q支持多模式运行，包括满载时的PWM模式和轻载时的PFM模式，有效降低开关损耗和驱动损耗，使整机效率在全负载范围内保持较高水平，特别是在20%负载以下仍能维持高于75%的转换效率。芯片还集成了“突发模式”（Burst Mode）控制，在极轻载或空载时进一步降低工作频率和驱动强度，将待机功耗控制在30mW以下，轻松满足严格的环保能效法规。
　　保护机制方面，QG6321 SL97Q提供了全面的故障防护能力。过压保护通过检测反馈引脚电压实现，一旦异常升高即触发锁存或打嗝模式；过流保护根据原边峰值电流设定限值，防止变压器饱和和MOSFET损坏；短路保护在输出短路时自动进入间歇工作模式，限制平均功率，避免过热；过温保护则在芯片结温超过150°C时自动关闭输出，待温度下降后恢复工作。这些保护措施共同保障了电源系统的安全性和长期稳定性。

QG6321 SL97Q广泛应用于各类低功率AC-DC电源变换设备中，典型应用场景包括手机充电器（5V/1A~5V/2A）、小型家电适配器（如路由器、摄像头、LED灯带电源）、智能家居控制模块、物联网设备供电单元以及USB充电插座等。由于其高度集成和外围元件精简的特点，特别适合空间受限、成本敏感且对可靠性有一定要求的产品设计。该芯片也常用于替代传统分立PWM控制器+光耦方案，用于升级老旧电源设计，提升能效并降低BOM成本。此外，在电池充电管理系统（如锂电充电板）中，QG6321也可作为前级隔离电源使用，为后续充电IC提供稳定的工作电压。得益于其良好的电磁兼容性（EMC）表现，该芯片在未加屏蔽的情况下也能通过大部分传导和辐射干扰测试，适用于消费类电子产品的大规模量产。

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　　TNY278
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