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MMBT589LT1G 发布时间 时间:2025/4/30 16:22:17 查看 阅读:18

MMBT589LT1G是一种NPN型双极结型晶体管(BJT),广泛用于通用放大和开关应用。该器件采用SOT-23封装,具有小型化、高效散热的特点,适合在紧凑型设计中使用。它通常被用作信号放大器或电子开关,在消费类电子产品、通信设备以及工业控制等领域有广泛应用。
  MMBT589LT1G的工作原理基于电流控制,通过基极输入电流来调节集电极与发射极之间的电流流动,从而实现对负载电路的控制或信号放大的功能。

参数

集电极最大电流:100mA
  集电极-发射极击穿电压:30V
  集电极-基极击穿电压:40V
  功率耗散:360mW
  直流电流增益(hFE):100~400
  工作温度范围:-65℃~150℃
  封装形式:SOT-23

特性

MMBT589LT1G的主要特性包括高增益稳定性、低噪声性能以及宽温度范围内的可靠性。其小型SOT-23封装使其非常适合空间受限的应用场景。此外,该晶体管具有较低的饱和电压,可以有效减少功耗并提升效率。
  由于其直流电流增益范围较宽(100至400),MMBT589LT1G能够在多种负载条件下保持良好的线性度和动态响应能力。这使得它成为音频放大器、脉冲调制器以及其他高频信号处理电路的理想选择。

应用

该晶体管适用于各种需要小信号放大的场合,例如无线遥控器、便携式音频设备、传感器接口等。同时,MMBT589LT1G也可作为简单的电子开关使用,在LED驱动、继电器控制等方面表现优异。
  在工业领域,这款晶体管常被用来构建电机驱动电路、电源管理模块以及数据采集系统的前端放大级。由于其高温适应性和抗干扰能力强,因此特别适合恶劣环境下的长期运行。

替代型号

2SC589L, MMBT589LT1

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MMBT589LT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)30V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)650mV @ 200mA,2A
  • 电流 - 集电极截止(最大)100nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 500mA,2V
  • 功率 - 最大310mW
  • 频率 - 转换100MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MMBT589LT1G-NDMMBT589LT1GOSTR