2SK2667 时间：2025/8/13 18:57:34 阅读：41

2SK2667是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，主要用于高频开关应用。该器件设计用于高效率的DC-DC转换器、电池充电器和负载开关等应用场景。作为一款功率MOSFET，它具备快速开关能力和较低的导通电阻特性。

参数

类型：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：150V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：4A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.85Ω（最大值）
　　耗散功率（Pd）：40W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220

特性

2SK2667具有多个关键特性使其适用于功率电子系统。
　　首先，它具备较低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统整体效率。
　　其次，该MOSFET具有较高的开关速度，适合高频应用，从而减小外部电感和电容的尺寸，提高电路的响应速度。
　　此外，2SK2667采用了高耐压的结构设计，支持最高150V的漏源电压，适用于多种中高功率的DC-DC转换器应用。
　　该器件的封装形式为TO-220，具备良好的散热性能，确保在高电流工况下仍能稳定运行。
　　同时，其栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V至15V驱动电压，兼容多种MOSFET驱动IC的设计需求。

应用

2SK2667广泛应用于多种电源管理系统中，包括DC-DC转换器、电池充电器、负载开关以及电源管理模块。
　　在DC-DC转换器方面，该器件适用于升压（Boost）、降压（Buck）以及反相（Flyback）拓扑结构，提供高效稳定的电压转换功能。
　　在电池充电器设计中，2SK2667可以作为主开关元件，控制充电电流和电压，实现对锂电池或其他可充电电池的安全高效充电。
　　此外，该MOSFET也可用于电机驱动和负载开关电路中，实现对高功率负载的快速控制和断电保护。
　　在电源管理系统中，该器件的高耐压和低导通电阻特性使其成为理想的功率开关元件，适用于工业自动化设备、通信电源、UPS不间断电源等场景。