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W631GG8NB-11 发布时间 时间:2025/8/20 9:08:05 查看 阅读:16

W631GG8NB-11 是 Winbond 公司生产的一款 NOR 闪存芯片,属于高性能、低功耗的存储器解决方案,广泛用于需要可靠代码存储和快速访问的应用中。这款芯片采用了高性能的 NOR 架构,支持快速的随机读取速度,适合用于代码执行和数据存储。

参数

容量:128Mbit
  电压范围:2.3V - 3.6V
  接口类型:SPI
  封装类型:8-SOIC
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  读取速度:104MHz
  写入/擦除耐久性:10万次
  数据保持时间:10年

特性

W631GG8NB-11 NOR 闪存芯片具备多项显著特性,使其在各类应用中表现出色。首先,其128Mbit的存储容量为嵌入式系统、工业控制、消费类电子和汽车电子提供了充足的代码存储空间。芯片支持SPI(串行外设接口)通信协议,简化了与微控制器或其他主控芯片之间的连接,降低了系统设计的复杂性。
  该芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V,适应性强,能够在多种电源条件下稳定工作。低电压设计也有助于降低功耗,适合对功耗敏感的应用场景,如便携式设备和低功耗控制系统。
  在性能方面,W631GG8NB-11支持高达104MHz的读取速度,确保了快速的数据访问和代码执行能力。这种高速特性使其非常适合用于需要实时响应和高效运行的应用。
  此外,该芯片具备高达10万次的写入/擦除耐久性,保证了在频繁写入操作下的长期可靠性。数据保持时间长达10年,即使在断电情况下也能确保数据的安全存储。
  工作温度范围覆盖-40°C至+85°C,使W631GG8NB-11适用于各种恶劣环境,包括工业和汽车应用。8-SOIC封装形式节省了PCB空间,便于集成到紧凑的电路设计中。

应用

W631GG8NB-11 NOR 闪存芯片适用于多种电子系统,包括嵌入式系统、工业控制设备、消费类电子产品、汽车电子模块、物联网设备和通信设备等。其高速读取性能和低功耗特性使其在需要可靠代码存储和快速执行的场景中表现尤为出色。

替代型号

W25Q128JV, S25FL128S, MX25R12835F

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W631GG8NB-11参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格242 : ¥26.56450托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织128M x 8
  • 存储器接口SSTL_15
  • 时钟频率933 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳78-VFBGA
  • 供应商器件封装78-VFBGA(8x10.5)