时间：2025/8/9 16:25:43
阅读：14
2SK2647-01MR 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高频和高功率应用。这款MOSFET采用先进的沟槽式技术，提供较低的导通电阻，从而减少功率损耗并提高效率。其封装形式为SOP（小外形封装），适合表面贴装，广泛应用于DC-DC转换器、负载开关和电机控制等领域。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：10V
连续漏极电流(Id)：10A
导通电阻(Rds(on))：0.018Ω
功率耗散(Pd)：2.5W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
存储温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：SOP
2SK2647-01MR 具备多项优异特性，首先是低导通电阻，典型值为0.018Ω，在高电流条件下依然能够保持较低的功率损耗，显著提升系统效率。其次，该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，能够在高频工作条件下保持稳定性能，适用于需要快速开关的应用场景。
此外，2SK2647-01MR 采用SOP封装，具有较小的封装尺寸，适合高密度PCB布局，同时支持表面贴装工艺，便于自动化生产。该器件还内置了静电放电（ESD）保护功能，提高了器件在实际应用中的可靠性。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至10V之间的驱动电压，适用于多种控制电路的设计。此外，它具备较高的热稳定性，在高温环境下仍能保持正常工作，适合工业级和车载应用环境。
综合来看，2SK2647-01MR 凭借其高性能、小尺寸和易用性，成为许多电源管理和功率控制应用的理想选择。
2SK2647-01MR 通常用于需要高效功率控制的电子系统中。其典型应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统以及电机驱动电路。由于其高频工作能力和低导通电阻，该器件在电源转换系统中能够显著提高效率并减少热量产生。
在消费类电子产品中，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理系统中，2SK2647-01MR 可用于电池充放电控制和电源路径管理。在工业自动化系统中，该MOSFET可用于PLC（可编程逻辑控制器）中的输出驱动模块，实现对继电器、传感器和执行器的控制。
此外，该器件也适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及车载娱乐系统的电源管理模块。由于其具备较高的可靠性和热稳定性，因此在高温和高振动环境下依然能够稳定运行。
Si2302DS, FDS6680, AO4406, NDS355AN
