时间：2025/8/4 16:43:40
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GN1196-INTE3Z是一款由GaN Systems公司制造的氮化镓（GaN）功率晶体管，采用增强型（eGaN）技术。该器件设计用于高效、高频的功率转换应用，适用于电源、电机驱动和无线充电等领域。其高性能和紧凑的设计使其成为硅基MOSFET的理想替代品，提供了更高的效率和更小的尺寸。
类型：增强型氮化镓场效应晶体管
漏极电流（Id）：120A
漏极-源极击穿电压（Vds）：100V
导通电阻（Rds(on)）：10mΩ
封装类型：表面贴装
工作温度范围：-55°C至150°C
功率耗散（Pd）：300W
GN1196-INTE3Z采用了GaN Systems的增强型氮化镓技术，具备极低的导通电阻和出色的开关性能。其100V的击穿电压使其适用于中高功率的应用，而120A的漏极电流能力则确保了高电流负载下的稳定性。此外，该器件具有极低的栅极电荷和输出电容，显著减少了开关损耗，提高了功率转换效率。
封装方面，GN1196-INTE3Z采用高效的表面贴装封装，支持高密度的PCB布局，同时具备良好的热管理能力，确保在高功率运行时保持较低的温度。该晶体管的工作温度范围为-55°C至150°C，适合各种严苛的工业环境。
由于GaN材料的特性，该晶体管具备更高的电子迁移率，使其在高频应用中表现优异。与传统硅基MOSFET相比，GN1196-INTE3Z在高频下具有更低的开关损耗，同时其紧凑的尺寸有助于减少系统体积和重量。
GN1196-INTE3Z广泛应用于高效电源转换系统，如DC-DC转换器、AC-DC电源、同步整流器和电机驱动器。此外，该器件也适用于无线充电系统、光伏逆变器以及需要高频率和高效率的功率电子设备。在服务器电源、电信基础设施和工业自动化设备中，GN1196-INTE3Z能够提供更高的能效和更小的系统尺寸，提升整体系统性能。
GS66504T, EPC2045, LMG5200
