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C3M0032120K 发布时间 时间:2025/4/29 9:53:13 查看 阅读:4

C3M0032120K 是一款碳化硅 (SiC) MOSFET,属于 Wolfspeed(原 Cree)公司的 C 系列功率晶体管。该器件具有高效率、高速开关和高温性能,适用于高频电源转换应用,如太阳能逆变器、不间断电源 (UPS) 和电动汽车充电设备等。该型号采用了先进的 SiC 技术,能够在高压条件下提供卓越的功率密度和可靠性。

参数

额定电压:1200V
  额定电流:32A
  导通电阻:80mΩ
  最大工作温度:175°C
  栅极电荷:95nC
  反向恢复时间:小于50ns
  封装形式:TO-247-4

特性

C3M0032120K 的主要特点是其出色的电气性能和耐用性。
  1. 高压操作能力使其非常适合工业和汽车应用中的大功率场景。
  2. 极低的导通电阻有助于减少传导损耗,并提高整体系统效率。
  3. 快速开关速度可以降低开关损耗并允许更高的工作频率,从而减小无源元件的尺寸。
  4. 该器件的热性能优越,在高温环境下仍能保持稳定运行。
  5. 内置的短路保护功能增强了其在复杂电力电子环境中的鲁棒性。

应用

C3M0032120K 广泛应用于需要高效功率转换和高频开关的场合,包括但不限于以下领域:
  1. 太阳能逆变器 - 提供高效的直流到交流转换。
  2. 不间断电源 (UPS) - 实现快速动态响应和高能量利用率。
  3. 电动汽车充电站 - 支持快速充电需求并优化热管理。
  4. 工业电机驱动 - 在高压条件下实现精确的速度控制和节能效果。
  5. 开关模式电源 (SMPS) - 增强功率密度和降低噪声干扰。

替代型号

C4D0065080K, C3M0065120K

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C3M0032120K参数

  • 现有数量112现货
  • 价格1 : ¥259.01000管件
  • 系列C3M?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术SiCFET(碳化硅)
  • 漏源电压(Vdss)1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)63A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)15V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)43毫欧 @ 40A,15V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.6V @ 11.5mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)118 nC @ 15 V
  • Vgs(最大值)+15V,-4V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3357 pF @ 1000 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)283W(Tc)
  • 工作温度-40°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247-4L
  • 封装/外壳TO-247-4