时间：2025/9/20 16:11:43
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2SK2617ALS是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道功率MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器以及其他需要高效能功率管理的电子设备中。该器件采用先进的平面硅栅极工艺制造，具有低导通电阻和高可靠性，适用于高频开关应用。2SK2617ALS封装形式为SOP（Small Outline Package），这种小型化封装非常适合对空间要求较高的紧凑型设计。该MOSFET具备良好的热稳定性和电流处理能力，能够在较宽的温度范围内保持性能稳定，因此在工业控制、消费类电子产品以及通信设备中得到了广泛应用。
该器件的主要优势在于其优化的电气特性与封装设计之间的平衡，使其在保证高性能的同时也便于自动化贴装和焊接。此外，2SK2617ALS符合RoHS环保标准，无铅且环境友好，适合现代绿色电子产品的设计需求。作为一款增强型MOSFET，它在栅极施加正电压时导通，常用于低边开关配置中，能够有效降低功耗并提升系统效率。由于其出色的动态响应特性和较低的输入电容，2SK2617ALS在高频工作条件下仍能维持较低的开关损耗，是许多电源管理系统中的理想选择。
型号：2SK2617ALS
极性：N沟道
漏源电压（Vds）：60V
连续漏极电流（Id）：5.0A
脉冲漏极电流（Idm）：20A
栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：38mΩ（典型值，Vgs=10V）
阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
输入电容（Ciss）：590pF（典型值，Vds=25V）
输出电容（Coss）：140pF（典型值，Vds=25V）
反向传输电容（Crss）：40pF（典型值，Vds=25V）
栅极电荷（Qg）：13nC（典型值，Vds=50V）
体二极管反向恢复时间（trr）：25ns（典型值）
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOP
2SK2617ALS具备多项优异的电气和物理特性，使其在众多同类产品中脱颖而出。首先，其低导通电阻（Rds(on)仅为38mΩ）显著降低了在导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效表现，这对于电池供电设备或高密度电源模块尤为重要。其次，该器件采用了先进的平面硅栅技术，确保了稳定的开关行为和较长的使用寿命。该技术还增强了器件的抗雪崩能力和热稳定性，使其在突发过载或瞬态电压冲击下依然能够安全运行。
另一个关键特性是其优化的电容参数，包括较低的输入电容（Ciss）和反向传输电容（Crss），这有助于减少驱动电路的负担，并降低高频开关过程中的噪声干扰。同时，较小的栅极电荷（Qg）意味着更少的能量用于充放电栅极，从而进一步减小了驱动损耗，提升了开关速度。这些特性使得2SK2617ALS特别适合用于高频DC-DC变换器、同步整流电路以及电机驱动等对响应速度和效率有严格要求的应用场景。
此外，该器件的工作结温可达+150°C，表明其具备良好的高温耐受能力，能够在恶劣环境下长期稳定工作。结合SOP封装所提供的良好散热性能和紧凑尺寸，2SK2617ALS在实现小型化设计的同时并未牺牲功率处理能力。最后，该MOSFET内置的快速体二极管具有较短的反向恢复时间（trr=25ns），可有效抑制换流过程中产生的电压尖峰，提升系统可靠性，尤其是在硬开关拓扑结构中表现出色。
2SK2617ALS主要应用于各类中等功率的开关电源系统中，如AC-DC适配器、笔记本电脑电源模块、LCD显示器电源板以及便携式充电设备。其高效率和小封装特点使其成为DC-DC降压或升压转换器的理想选择，尤其适用于多相供电架构中的低边开关元件。在这些应用中，该MOSFET能够以较低的导通损耗和开关损耗实现高效的能量转换，延长设备续航时间并减少发热问题。
此外，2SK2617ALS也广泛用于LED驱动电源、电动工具控制器、家用电器中的电机驱动电路以及工业自动化设备的电源管理单元。在这些场合中，器件需要频繁进行高速开关操作，而2SK2617ALS凭借其快速响应能力和良好的热稳定性，能够胜任复杂的动态负载变化。其SOP封装形式便于PCB布局和自动化生产，适合大规模量产使用。
在通信设备领域，例如路由器、交换机和基站电源模块中，2SK2617ALS可用于实现高密度、高效率的板级电源解决方案。由于现代通信设备对电磁兼容性（EMC）要求较高，该器件低噪声的开关特性有助于满足相关标准。同时，其符合RoHS指令的设计也使其适用于出口型电子产品和环保认证项目。总体而言，2SK2617ALS是一款通用性强、适应面广的功率MOSFET，适用于多种需要高效、可靠功率控制的现代电子系统。
2SK2617AL
