类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-4A（VGS = -4.5V）
　　导通电阻（RDS(on)）：85mΩ（典型值，VGS = -4.5V）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：SOT-23（SC-59）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　配置：双P沟道
　　功耗（PD）：300mW

HBAT5400TR1G采用先进的Trench沟槽技术，提供了较低的导通电阻（RDS(on)），从而降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持-4.5V至-10V的控制信号，适用于多种电源控制应用场景。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和抗冲击能力，能够在较宽的温度范围内保持稳定性能。SOT-23封装设计使其非常适合在空间受限的便携式电子产品中使用，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、电池管理系统等。
　　器件的双P沟道结构允许其在同步整流、电源开关和电压调节电路中实现高效的双向控制。同时，HBAT5400TR1G具有较低的输入电容和快速开关特性，有助于减少开关损耗并提高响应速度。其低功耗特性与高集成度设计相结合，使其成为高效能、小体积电源系统中的理想选择。

HBAT5400TR1G适用于多种低电压功率控制应用，包括但不限于以下领域：
　　1. 便携式电子设备中的电源管理模块，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电池供电系统。
　　2. DC-DC转换器中的同步整流器，用于提高转换效率并降低热损耗。
　　3. 负载开关电路，用于控制外部设备的电源供应，如USB接口、显示屏背光和无线模块。
　　4. 服务器和通信设备中的多相电源系统，用于实现高效率的电压调节。
　　5. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，用于保护电池组免受过流和短路损坏。

Si3442DV-T1-GE3, TPC8103-H,HBRM6400TR1G