时间：2025/8/23 8:23:39
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SKT290F10DT 是一款由东芝（Toshiba）制造的功率MOSFET晶体管，属于N沟道增强型场效应晶体管。这款MOSFET专为高功率和高效率应用设计，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及各种工业和消费类电子设备中。该器件采用TO-263封装（也称为D2Pak），具备良好的散热性能，适合表面贴装技术（SMT）制造流程。SKT290F10DT以其高耐压、低导通电阻和快速开关特性而受到工程师的青睐。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：20V
连续漏极电流（ID）：30A
导通电阻（RDS(on)）：0.045Ω（典型值，VGS=10V）
功耗（PD）：150W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-263（D2Pak）
SKT290F10DT 功率MOSFET具备多项优良特性，适用于多种高功率密度设计场景。首先，其漏源电压（VDS）为100V，能够承受较高的电压应力，适用于多种DC-DC变换器和电源管理电路。其次，该器件的导通电阻（RDS(on)）仅为0.045Ω，这意味着在导通状态下，其功率损耗较低，有助于提高系统效率并减少散热需求。
此外，SKT290F10DT 的连续漏极电流额定值为30A，能够在高电流负载条件下稳定运行，适用于电机驱动、电池充电和大功率LED照明等应用。该器件的封装为TO-263（D2Pak），具备良好的热管理能力，适用于表面贴装工艺，简化了PCB设计和制造流程。
该MOSFET的栅源电压（VGS）最大为20V，允许使用标准的10V或12V驱动电路进行控制，同时具备较高的栅极耐压能力，增强了系统的可靠性和抗干扰能力。SKT290F10DT还具备快速开关特性，适合用于高频开关电源，减少开关损耗，提高整体系统性能。
在可靠性方面，SKT290F10DT 符合RoHS环保标准，无铅封装设计符合现代电子产品对环保的要求。其工作温度范围宽达-55°C至+150°C，可在恶劣环境下稳定工作，适用于工业自动化、汽车电子和户外设备等应用场景。
SKT290F10DT 主要应用于需要高效率、高功率处理能力的电子系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、同步整流器、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机控制电路以及大功率LED驱动电路。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和DC-AC逆变器等应用。由于其高电流能力和良好的热管理性能，SKT290F10DT 也广泛用于工业自动化控制系统和智能电网设备中。
IRFZ44N, FDPF4N60, SKT290F10DK
