2SK2615 时间：2025/5/19 15:25:14 阅读：1

2SK2615是一种N沟道MOSFET功率晶体管，广泛应用于高频、高效率功率放大器中。该器件采用金属陶瓷封装（TO-39），具备优良的高频特性和低导通电阻，适合于射频功率放大和开关应用。它常被用于业余无线电设备、商业无线通信以及工业领域中的功率放大电路。
　　2SK2615的主要特点是其出色的增益性能、高击穿电压和较低的噪声特性，使其成为许多射频功率放大器设计的理想选择。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　封装：TO-39
　　最大耗散功率：70W
　　漏源击穿电压：Vds=180V
　　栅极阈值电压：Vgs(th)=3V~6V
　　漏极电流（连续）：Id=7A
　　工作频率范围：最高可达400MHz
　　输入电容：Ciss=700pF
　　输出电容：Crss=80pF
　　反向传输电容：Coss=180pF
　　热阻：Rth=1.5°C/W

特性

2SK2615是一款高性能的射频功率MOSFET，具有以下关键特性：
　　1.00MHz的工作频率范围。
　　2. 低导通电阻和低噪声性能，有助于提高系统的整体效率。
　　3. 具有良好的稳定性和可靠性，能够承受较高的漏源电压和持续的大电流。
　　4. 采用TO-39封装形式，便于安装和散热管理。
　　5. 特别适合需要高增益和高效率的功率放大器设计。
　　6. 可靠性高，在长时间运行中保持稳定的电气性能。
　　这些特性使2SK2615成为射频功率放大器设计中的重要元件之一，尤其是在对效率和带宽要求较高的场合。

应用

2SK2615主要用于射频功率放大器的设计与实现，常见的应用场景包括：
　　1. 业余无线电设备中的功率放大器模块。
　　2. 商业无线通信系统中的射频功率放大阶段。
　　3. 工业、科学和医疗（ISM）频段的功率放大器。
　　4. 高效开关电源和逆变器中的高频开关元件。
　　5. 脉冲功率放大器和电子测试设备中的功率驱动部分。
　　由于其出色的高频特性和功率处理能力，2SK2615在上述应用中表现出色，尤其在需要高效率和高可靠性的射频功率放大场景中得到广泛应用。