类型：瞬态电压抑制器 (TVS)
　　配置：单向
　　工作电压：20 V
　　击穿电压：22.2 V (min), 24.5 V (max)
　　钳位电压：35.4 V (max) @ Ipp = 1 A
　　最大反向漏电流：0.1 μA (max) @ VRWM
　　响应时间：小于 1 ps
　　最大脉冲电流：1 A (8/20 μs 波形)
　　封装：SOD-882
　　安装类型：表面贴装

LTVS20H20T5G 的核心特性之一是其出色的瞬态能量吸收能力，能够在极短时间内响应并钳制电压，从而有效保护下游电路不受损坏。该器件采用硅雪崩二极管结构，具有非常低的动态电阻，确保在高电流下仍能保持稳定的钳位电压。此外，其响应时间低于1皮秒，远快于传统的TVS二极管，使其在应对高速瞬态事件（如ESD）时表现优异。
　　该器件的反向漏电流极低，在最大工作电压下不超过0.1微安，不会对正常工作电路造成影响。LTVS20H20T5G 还具有优良的稳定性，能够在-55°C至+150°C的宽温度范围内可靠工作，适用于工业级和汽车级应用环境。
　　在封装方面，LTVS20H20T5G采用SOD-882小尺寸封装，不仅节省PCB空间，而且支持自动化贴片生产，适用于高密度电路板设计。其无铅（RoHS合规）封装也符合现代环保要求。

LTVS20H20T5G 广泛应用于需要高可靠性电路保护的领域。其典型应用包括USB接口、HDMI、以太网端口等高速通信接口的静电保护，也可用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式电子产品中的敏感IC保护。此外，该器件还可用于工业控制系统的信号线保护、汽车电子模块的电源和信号线保护等领域。
　　由于其低电容特性（通常小于1 pF），LTVS20H20T5G 特别适合用于保护高速数据线路，不会影响信号完整性。在汽车电子应用中，它能够有效抑制因负载突降、静电放电或电磁干扰引起的电压瞬变，提高系统的整体可靠性。

PESD20H20T5G, SMAJ20A, SMLTV20HU05T5G