型号：2SK2528
　　制造商：Toshiba
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：500V
　　最大漏极电流（Id）：7A（连续）
　　脉冲漏极电流（Idm）：28A
　　最大功耗（Pd）：100W
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.65Ω（@Vgs=10V, Id=3.5A）
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　栅极电荷（Qg）：典型值33nC（@Vds=400V, Id=7A）
　　输入电容（Ciss）：典型值1100pF（@Vds=25V）
　　开启时间（Ton）：约25ns
　　关断时间（Toff）：约60ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220

2SK2528具备多项关键特性，使其在同类功率MOSFET中表现出色。首先，其500V的高漏源击穿电压使其非常适合用于高压开关应用，例如离线式开关电源（SMPS）和AC-DC转换器，能够有效应对市电整流后的高压直流母线电压。其次，该器件的低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统能效，尤其在大电流负载条件下优势更为明显。此外，较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着驱动电路所需的能量更少，不仅简化了驱动设计，还减少了开关过程中的动态损耗，从而提升了高频开关应用中的整体效率。
　　该器件还具备良好的热稳定性与可靠性。采用TO-220封装，具有较大的散热片接触面积，便于安装散热器以实现有效的热管理。其最大功耗可达100W，在适当散热条件下可长期稳定运行。2SK2528的阈值电压范围适中（2.0V~4.0V），兼容多种逻辑电平驱动信号，包括通过专用驱动IC或微控制器间接驱动。同时，该MOSFET具有较强的抗雪崩能力，能够在突发的电感反激或电压瞬变情况下承受一定的能量冲击，增强了系统的故障容忍度。
　　此外，2SK2528的快速开关特性（开启时间约25ns，关断时间约60ns）使其适用于高频工作场景，如高频DC-DC变换器和逆变器，有助于减小磁性元件的体积，提升电源功率密度。器件的重复性和一致性良好，适合批量生产使用。其符合RoHS标准，无铅且环保，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。综合来看，2SK2528是一款性能均衡、可靠性高的高压N沟道MOSFET，适用于多种工业与消费类电源系统。

2SK2528广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其是在需要高电压和较高效率的场合。典型应用包括离线式反激（Flyback）和正激（Forward）转换器，常用于电视机、显示器、打印机等家用电器和办公设备的电源模块中。此外，它也适用于AC-DC和DC-DC电源适配器、充电器以及LED驱动电源，凭借其高耐压和低导通损耗特性，能够在宽输入电压范围内保持高效运行。
　　在工业控制领域，2SK2528可用于电机驱动电路中的开关元件，特别是在中小功率直流电机或步进电机的H桥或单边驱动拓扑中，提供可靠的功率切换功能。它也可用于逆变器和UPS（不间断电源）系统中的DC-AC转换环节，作为主开关管之一，承担能量传递与波形生成的任务。由于其良好的热性能和抗干扰能力，该器件在恶劣工业环境中仍能保持稳定工作。
　　此外，2SK2528还可用于电池管理系统（BMS）、太阳能微型逆变器、电焊机电源以及各种电子负载和测试设备中。其快速开关能力和高可靠性使其成为工程师在设计高压功率电路时的优选器件之一。在需要高压侧开关的拓扑结构中，配合相应的驱动电路，2SK2528也能胜任半桥或全桥配置中的上桥臂工作。总之，该器件适用于任何需要高效、高压、中等电流开关能力的应用场景。

2SK2542, 2SK2640, STP7NK50ZFP, 2SK2998, FQP50N50