型号：2SK2504TL
　　制造商：Toshiba
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：5.8A @ Ta=25℃
　　脉冲漏极电流（Idm）：23A
　　导通电阻（Rds(on)）：17mΩ @ Vgs=10V, Id=2.9A
　　导通电阻（Rds(on)）：22mΩ @ Vgs=4.5V, Id=2.9A
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：500pF @ Vds=15V, Vgs=0V
　　输出电容（Coss）：190pF @ Vds=15V, Vgs=0V
　　反向传输电容（Crss）：50pF @ Vds=15V, Vgs=0V
　　栅极电荷（Qg）：12nC @ Vgs=10V, Id=5.8A
　　功耗（Pd）：1W @ Ta=25℃
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：SOT-23

2SK2504TL具备多项关键特性，使其在低电压功率管理领域表现卓越。首先，其低导通电阻（Rds(on)）是核心优势之一，典型值仅为17mΩ（在Vgs=10V时），这显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，提高了系统的能效。即使在较低的栅极驱动电压（如4.5V）下，Rds(on)也仅上升至22mΩ，表明该器件对逻辑电平驱动信号具有良好兼容性，可直接由微控制器或低压驱动IC控制，无需额外的电平转换电路。
　　其次，该MOSFET采用了先进的沟槽结构设计，优化了载流子迁移路径，提升了单位面积的电流承载能力，同时减小了寄生电容，从而实现了快速的开关响应。其输入电容（Ciss）为500pF，反向传输电容（Crss）为50pF，这些较低的电容值有助于减少开关过程中的充电能量需求，降低驱动损耗，并抑制高频工作时的振荡风险。栅极电荷（Qg）仅为12nC，进一步降低了驱动电路的负担，使器件更适合高频PWM控制应用。
　　第三，2SK2504TL具有良好的热性能和稳定性。尽管封装小巧（SOT-23），但其热阻（Rth(j-a)）设计合理，在标准PCB布局下可有效散热，确保长时间运行时的可靠性。器件的工作结温范围宽达-55℃至+150℃，适应严苛的环境条件。此外，内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，适用于需要续流功能的拓扑结构，如同步整流和H桥驱动，避免了外接二极管带来的额外成本和空间占用。
　　最后，该器件符合RoHS环保标准，采用无铅封装工艺，适合现代绿色电子产品制造。综合来看，2SK2504TL凭借其低Rds(on)、高速开关、小尺寸封装和高可靠性，成为众多中小功率电源设计中的优选器件。

2SK2504TL广泛应用于多种电力电子系统中，尤其适用于需要高效、小型化设计的低电压直流电源解决方案。在开关电源（SMPS）中，它常作为同步整流管使用，替代传统肖特基二极管，显著降低导通压降和发热，提高转换效率，特别适用于12V或5V输出的AC-DC适配器和隔离式DC-DC模块。
　　在便携式电子设备中，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电池管理系统中，2SK2504TL可用于电池充放电控制电路，作为理想二极管或负载开关，实现低功耗待机和过流保护功能。其低静态损耗有助于延长设备续航时间。
　　此外，该器件也常见于LED照明驱动电路，特别是在恒流源拓扑中作为主开关元件，配合电感和控制器实现高效的升压或降压型LED驱动方案。其快速开关能力有助于实现精确的调光控制，支持PWM调光模式。
　　在电机驱动领域，2SK2504TL可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，作为低端或高端开关，提供双向电流控制能力。其高电流承载能力和良好热稳定性确保电机启动和堵转时的可靠运行。
　　其他应用还包括热插拔控制器、电源多路复用、USB电源开关、无线充电发射端功率级以及各类工业控制板上的功率切换电路。得益于其SOT-23小型封装，该器件特别适合高密度PCB布局，满足现代电子产品对微型化和高性能的双重需求。

SI2302DS
　　FDS6670A
　　AO3400