KDS190 时间：2025/12/28 15:50:24 阅读：11

KDS190 是一款由 KEC（现已更名为 KOSDA）生产的 N 沟道功率 MOSFET，广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等应用中。该器件采用 TO-220 封装，具有较低的导通电阻和良好的热稳定性，适用于中高功率场合。KDS190 的设计使其在开关过程中具备较低的功耗，从而提高整体系统的效率。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：200V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：12A（在 Tc=25°C 时）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.28Ω（最大值）
　　功率耗散（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

KDS190 具有优异的导通特性和开关性能，能够在高频率下稳定工作。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少导通损耗，提高电源转换效率。此外，该器件具备良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定的性能。
　　KDS190 的栅极驱动电压范围较宽（通常为 10V~20V），使其适用于多种驱动电路。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用。
　　该 MOSFET 还具备较强的抗过载能力，能够在短时间承受较高的电流和电压应力，从而提高系统的可靠性。其 TO-220 封装形式便于安装和散热设计，适用于多种电源和功率控制电路。

应用

KDS190 常用于各类电源管理系统中，如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池充电器和电机控制电路。由于其良好的导通特性和较高的耐压能力，它在工业控制、通信设备、消费类电子产品和汽车电子系统中均有广泛应用。
　　在电源适配器和开关电源中，KDS190 可作为主开关器件或同步整流器使用，以提高能效和减小体积。在电机控制应用中，它可以作为 H 桥中的开关元件，实现对电机的正反转和调速控制。此外，该器件也可用于电池管理系统中的充放电控制电路。