时间：2025/9/7 9:52:14
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2SK2315TY90TR 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET晶体管，主要用于高频功率开关应用。该器件采用先进的沟槽式MOS结构，具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度，适用于DC-DC转换器、电源管理、电池充电器和各种功率控制电路。该MOSFET采用小型表面贴装封装（SOP），适合自动化装配和高密度PCB布局。
类型：N沟道 MOSFET
漏极电流（Id）：1.5A
漏极-源极击穿电压（Vds）：60V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大1.8Ω @ Vgs=10V
功率耗散（Pd）：100mW
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：SOP
2SK2315TY90TR MOSFET采用了先进的沟槽式结构，使得其在同类产品中具备更低的导通电阻和更高的开关效率。其1.8Ω的最大Rds(on)在Vgs=10V条件下表现良好，适用于需要高效能和低功耗的电路设计。
该器件的栅极驱动电压范围为±20V，具有较强的抗干扰能力和稳定性。其漏极-源极电压为60V，适用于中等功率的开关应用，如DC-DC转换器、电源模块和电池管理系统。
封装形式为SOP（小型外贴封装），便于自动化装配，适合高密度PCB布局。同时，该器件的功耗较低，仅为100mW，有助于降低系统整体发热。
此外，2SK2315TY90TR具备良好的热稳定性和可靠性，工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种严苛环境条件下的工业控制和消费电子产品。
2SK2315TY90TR MOSFET广泛应用于多种功率控制和电源管理领域。其主要应用场景包括DC-DC转换器、电源模块、电池充电器、LED驱动电路以及各种小型电源开关电路。
在消费类电子产品中，该MOSFET常用于笔记本电脑、平板电脑和智能移动设备的电源管理模块中，实现高效的电压转换和电能管理。
在工业控制领域，该器件可应用于PLC（可编程逻辑控制器）和小型自动化设备中的功率开关电路，提供稳定可靠的控制性能。
此外，该MOSFET还可用于LED照明系统的恒流驱动电路中，实现高效能和低功耗的照明控制。
由于其表面贴装封装形式，2SK2315TY90TR也适用于自动化生产线，满足大批量、高精度的电子制造需求。
2SK2315Y90TR, 2SK2315-TB-E, 2SK2315-TB-LF
