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BUK7Y3R5-40HX 发布时间 时间:2025/9/15 2:17:07 查看 阅读:40

BUK7Y3R5-40HX是一款由Nexperia(原飞利浦半导体部门)制造的功率MOSFET晶体管。该器件专为高效率、高功率密度的应用而设计,具备低导通电阻和优异的热性能,适用于各种电源管理和功率转换场合。该MOSFET采用TISON(小型双扁平无引脚封装),具有优异的散热性能,同时体积小巧,非常适合空间受限的应用。BUK7Y3R5-40HX的漏源电压(VDS)为40V,连续漏极电流(ID)可达35A,是一款N沟道增强型MOSFET。

参数

类型:N沟道
  漏源电压(VDS):40V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):35A(在Tc=25°C时)
  导通电阻(RDS(on)):3.5mΩ(最大值,VGS=10V)
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装形式:TISON(TSC-8)

特性

BUK7Y3R5-40HX具备多项高性能特性。其低导通电阻(RDS(on))确保了在高电流应用中最小的功率损耗,从而提高整体效率。该MOSFET采用先进的Trench技术制造,提供了卓越的导电性能和较低的开关损耗,适用于高频开关电源和DC-DC转换器。此外,其封装设计具备优异的热管理能力,有助于在高负载条件下维持稳定运行。
  该器件还具备良好的雪崩能量耐受能力,能够在瞬态过压条件下保持稳定,增强系统的可靠性。其栅极设计支持快速开关,减少了开关损耗,并提高了动态响应能力,适合用于高性能电源管理应用。此外,BUK7Y3R5-40HX符合RoHS环保标准,无铅封装,适用于对环境要求较高的电子产品设计。
  在可靠性方面,BUK7Y3R5-40HX经过严格测试,具备较长的使用寿命和稳定的电气性能。它适用于各种工业级应用,包括电机控制、电池管理系统、负载开关和功率放大器设计。

应用

BUK7Y3R5-40HX广泛应用于多个领域,包括电源管理、汽车电子、工业控制和消费类电子产品。在电源系统中,该MOSFET常用于同步整流、DC-DC降压或升压转换器、负载开关和电池保护电路。由于其高电流能力和低导通电阻,特别适合用于高效能电源模块和高密度电源适配器设计。
  在汽车电子中,BUK7Y3R5-40HX可用于车载充电系统、电动助力转向系统、车身控制模块和LED照明驱动电路。其高可靠性和宽工作温度范围使其能够在严苛的汽车环境中稳定运行。此外,在工业自动化系统中,该MOSFET可用于PLC控制、电机驱动和工业电源管理方案。
  消费类电子产品方面,BUK7Y3R5-40HX适用于笔记本电脑电源管理、智能充电器、无人机动力系统以及智能家居设备中的功率控制模块。

替代型号

BUK7Y3R5-40HX的替代型号包括Infineon的BSC035N04LS G、ON Semiconductor的NTMFS4C04N和Toshiba的TK2R5A04PBUL。这些MOSFET在电气特性和封装上与BUK7Y3R5-40HX相似,具备相近的导通电阻、额定电压和电流能力,适合用于替换。

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BUK7Y3R5-40HX参数

  • 现有数量2,968现货
  • 价格1 : ¥13.59000剪切带(CT)1,500 : ¥6.18041卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)120A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3.5 毫欧 @ 25A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)53 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)+20V,-10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3441 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)115W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装LFPAK56,Power-SO8
  • 封装/外壳SC-100,SOT-669