RF5426SR 时间：2025/8/16 0:54:56 阅读：19

RF5426SR 是一款由 RF Micro Devices（现为 Qorvo）生产的射频功率晶体管（RF Power Transistor），专为高功率射频放大器应用设计。该器件采用先进的 LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术制造，适用于无线基础设施、基站、工业加热、射频测试设备以及广播系统等高功率射频应用。RF5426SR 具有高增益、高效率和出色的热稳定性，能够在 880MHz 至 960MHz 频段内提供高达 26W 的连续波（CW）输出功率。

参数

类型：LDMOS 射频功率晶体管
　　频率范围：880MHz - 960MHz
　　输出功率：26W CW
　　漏极电压：最大 32V
　　漏极电流：最大 1.5A
　　增益：约 18dB（典型值）
　　效率：约 65%（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-270（表面贴装）

特性

RF5426SR 的核心优势在于其卓越的射频性能和可靠性。首先，该器件采用 LDMOS 技术，使其在高频下仍能保持高效的功率放大能力。其 18dB 的典型增益使得系统设计者可以减少前级放大器的复杂性，从而简化整体电路设计。
　　其次，RF5426SR 在 880MHz 至 960MHz 频段内提供高达 26W 的输出功率，非常适合用于 GSM、CDMA、LTE 等移动通信基站的发射模块。此外，该器件具有良好的线性度，能够在调制信号环境下保持较低的失真，从而提高通信质量。
　　该晶体管的封装形式为 TO-270，这是一种表面贴装封装，具有良好的热传导性能，有助于提高器件在高功率工作条件下的稳定性和寿命。TO-270 封装也便于自动化生产，适合大规模制造。
　　在热管理和可靠性方面，RF5426SR 设计有良好的热阻性能，能够在高温环境下稳定运行。其最大漏极电压可达 32V，最大漏极电流为 1.5A，使其在各种高功率应用场景中具备良好的适应性。

应用

RF5426SR 主要用于无线通信基础设施中的射频功率放大器模块，如蜂窝基站（GSM、CDMA、LTE）、广播发射机、工业射频加热设备、射频测试仪器以及军事和航空航天领域的高功率通信系统。其高功率输出和优异的频率响应特性使其成为多种射频放大应用的理想选择。此外，该器件也可用于需要高线性度和高稳定性的射频发射系统中，如数字广播和射频识别（RFID）系统。