类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：500V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　连续漏极电流(Id)：12A
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　导通电阻(Rds(on))：典型值0.45Ω
　　功率耗散(Pd)：125W
　　封装形式：TO-220

JX2N2480A具有多项优异的电气和热性能特性。其500V的漏源电压使其适用于中高功率应用，例如开关电源和电机驱动器。该器件的导通电阻Rds(on)典型值为0.45Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET支持高达12A的连续漏极电流，适用于需要较高电流承载能力的场合。其TO-220封装提供了良好的散热性能，便于在PCB上安装和散热管理。JX2N2480A还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态条件下提供更高的稳定性和耐用性。器件的栅极驱动电压范围较宽，可在±30V范围内工作，增强了其在不同控制电路中的兼容性。
　　该器件在制造过程中采用了先进的平面工艺技术，确保了良好的参数一致性与长期可靠性。同时，JX2N2480A的输入电容较小，有助于减少开关过程中的驱动损耗，适用于高频开关应用。此外，其短路和过温保护特性也使其在复杂工作环境中具备更高的安全性。

JX2N2480A广泛应用于多种功率电子系统中，主要包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、负载开关、电机驱动器、LED照明驱动电路以及工业自动化控制设备等。其高耐压和高电流能力使其特别适合于需要较高功率密度的设计。在电机控制应用中，JX2N2480A可以作为H桥电路的一部分，用于驱动直流电机或步进电机。在电源转换系统中，该器件可作为主开关元件，用于实现高效的能量转换。此外，由于其良好的热稳定性和抗冲击能力，该MOSFET也常用于消费类电子产品中的电源管理模块。

2N6480A, IRF840, FQA12N50C, STP12N50M5