时间：2025/8/9 4:32:35
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2SK2259-01M(MR) 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频率和高速开关应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻和高速开关特性，适合用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动等应用。该型号的封装形式为SOP（小外形封装），适合表面贴装。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：20V
最大连续漏极电流（ID）：500mA
导通电阻（RDS(on)）：1.5Ω（最大值，@VGS=10V）
阈值电压（VGS(th)）：1.5V ~ 3.0V
功耗（PD）：300mW
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：SOP-6
2SK2259-01M(MR) MOSFET采用了东芝先进的沟槽式结构技术，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗并提高了能效。该器件具有快速开关能力，适用于高频应用，如DC-DC转换器和高速开关电路。其低栅极电荷（Qg）进一步优化了开关性能，有助于减少开关损耗。
此外，该MOSFET具有良好的热稳定性和较高的可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。其封装形式为SOP-6，适合表面贴装工艺，节省PCB空间，适用于高密度电子设备的设计。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，可以在4.5V至10V之间正常工作，适用于多种驱动电路配置。同时，其较低的阈值电压使得在低压应用中也能实现有效的导通控制，提高了设计的灵活性。
2SK2259-01M(MR) MOSFET广泛应用于便携式电子产品、电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、LED驱动电路以及各类低电压高频开关电路中。该器件的高可靠性和小尺寸封装也使其非常适合用于空间受限的高密度电路板设计。此外，它还可用于电池供电设备中的功率控制，如智能手表、智能手机、平板电脑、无人机和小型机器人等设备。
2SK2259-01L(MR), 2SK3019, 2SK3429, 2SK3842
