类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流：5A
　　最大漏极-源极电压：60V
　　最大栅极-源极电压：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.12Ω
　　栅极阈值电压：1V~3V
　　工作温度范围：-55°C~150°C
　　封装形式：TO-236（SOT-23）

2SK2204S具有多个显著的性能特点。首先，其低导通电阻（RDS(on)）使得在导通状态下功耗更低，提高了电路的整体效率。其次，该器件的高耐压特性（60V漏极-源极电压）使其能够在较高电压环境下稳定工作，适用于多种中高压应用场景。此外，2SK2204S具备良好的热稳定性和高可靠性，可以在恶劣的温度条件下运行，适用于工业级和汽车电子系统。
　　该MOSFET的栅极阈值电压范围适中（1V~3V），便于与标准CMOS或TTL逻辑电平兼容，简化了驱动电路的设计。同时，其快速开关特性降低了开关损耗，有助于提高高频应用中的性能。封装形式为TO-236（SOT-23），体积小巧，适合高密度PCB布局。最后，该器件具有较高的抗静电能力和过载保护性能，能够在一定程度上抵御外界干扰，提高系统稳定性。

2SK2204S适用于多种电子设备和系统中，广泛用于DC-DC转换器、电源开关、电机控制、LED驱动器、电池管理系统和负载开关等应用。在电源管理领域，该MOSFET可以用于高效能的开关电源（SMPS）和稳压模块中，实现低功耗、高效率的能源转换。在工业自动化系统中，它可以作为高频率开关元件用于控制执行机构或传感器的电源供应。此外，2SK2204S也常用于便携式电子产品中的电池保护电路，确保设备在不同负载条件下的稳定运行。在汽车电子系统中，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车灯控制系统中，该器件的高可靠性和宽温度范围适应性使其成为理想选择。

2SK2204S的替代型号包括2SK3018、2SK2626和Si2302DS。这些型号在电气特性、封装形式和应用场景上与2SK2204S相似，可根据具体设计需求进行替换。