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HY5V16EF6P-PDR 发布时间 时间:2025/9/1 14:17:18 查看 阅读:4

HY5V16EF6P-PDR 是由Hynix(现为SK hynix)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该型号属于高性能、低功耗的DRAM系列,适用于需要高速数据存储和处理的应用场景。HY5V16EF6P-PDR 采用了先进的CMOS技术,具备较高的数据存取速度和较低的功耗,适用于嵌入式系统、通信设备、工业控制和消费类电子产品。

参数

类型:DRAM
  容量:256Mbit
  组织结构:16M x 16
  电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:5.4ns
  封装:TSOP
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  时钟频率:166MHz
  数据速率:166MHz

特性

HY5V16EF6P-PDR 是一款高速、低功耗的DRAM芯片,采用了先进的CMOS制造工艺,具备良好的稳定性和可靠性。其256Mbit的存储容量和16M x 16的组织结构使其能够满足中等规模数据存储的需求。该芯片支持低电压操作,工作电压范围为2.3V至3.6V,能够在多种电源环境下稳定运行。此外,其5.4ns的访问时间和166MHz的时钟频率使其具备较高的数据吞吐能力,适用于需要高速数据处理的系统。该芯片的TSOP封装形式有助于减小PCB板的空间占用,适合高密度电路设计。工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级和商业级应用场景。

应用

HY5V16EF6P-PDR 主要用于需要高速数据缓存和临时存储的电子设备中。其典型应用包括嵌入式系统、网络设备、通信模块、工业控制器、视频处理设备以及消费类电子产品中的主存或缓存。由于其高速特性和低功耗设计,该芯片也适用于对性能和能效要求较高的便携式设备。

替代型号

IS61LV25616-10T、CY7C1041CV33-10ZSXC、A66C2526F-10P

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