时间：2025/9/1 14:17:18
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HY5V16EF6P-PDR 是由Hynix（现为SK hynix）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该型号属于高性能、低功耗的DRAM系列，适用于需要高速数据存储和处理的应用场景。HY5V16EF6P-PDR 采用了先进的CMOS技术，具备较高的数据存取速度和较低的功耗，适用于嵌入式系统、通信设备、工业控制和消费类电子产品。
类型：DRAM
容量：256Mbit
组织结构：16M x 16
电压：2.3V - 3.6V
访问时间：5.4ns
封装：TSOP
工作温度：-40°C 至 +85°C
时钟频率：166MHz
数据速率：166MHz
HY5V16EF6P-PDR 是一款高速、低功耗的DRAM芯片，采用了先进的CMOS制造工艺，具备良好的稳定性和可靠性。其256Mbit的存储容量和16M x 16的组织结构使其能够满足中等规模数据存储的需求。该芯片支持低电压操作，工作电压范围为2.3V至3.6V，能够在多种电源环境下稳定运行。此外，其5.4ns的访问时间和166MHz的时钟频率使其具备较高的数据吞吐能力，适用于需要高速数据处理的系统。该芯片的TSOP封装形式有助于减小PCB板的空间占用，适合高密度电路设计。工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级和商业级应用场景。
HY5V16EF6P-PDR 主要用于需要高速数据缓存和临时存储的电子设备中。其典型应用包括嵌入式系统、网络设备、通信模块、工业控制器、视频处理设备以及消费类电子产品中的主存或缓存。由于其高速特性和低功耗设计，该芯片也适用于对性能和能效要求较高的便携式设备。
IS61LV25616-10T、CY7C1041CV33-10ZSXC、A66C2526F-10P
