时间：2025/8/9 13:32:26
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2SK2147-01R 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，适用于高频电源和开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压能力以及良好的热稳定性，使其在电源转换器、DC-DC转换器和电机驱动器等应用中表现出色。
类型: N沟道
最大漏极电流（ID）: 20A
最大漏-源电压（VDS）: 100V
最大栅-源电压（VGS）: ±20V
导通电阻（RDS(on)): 0.023Ω
功率耗散（PD）: 80W
工作温度范围: -55°C ~ +150°C
2SK2147-01R MOSFET具有多项优良特性，包括低导通电阻（RDS(on)）以减少导通损耗，提高系统效率；高耐压能力（VDS为100V）使其适用于中高压电源系统；该器件还具有良好的热稳定性，能够在较高温度下保持稳定工作。此外，其快速开关特性使其适用于高频开关电路，降低开关损耗，提高电源系统的整体性能。封装设计有助于散热，提高器件的可靠性。
这款MOSFET的栅极驱动电压范围宽（±20V），增强了其在不同应用环境下的兼容性。同时，它还具备良好的抗过载和短路能力，能够在极端条件下提供一定的保护功能。
2SK2147-01R MOSFET广泛应用于多种电力电子设备中，如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、电池充电器、电机驱动器以及功率因数校正（PFC）电路。此外，它也适用于高频逆变器、开关电源（SMPS）及LED照明驱动电路，特别是在需要高效能、高可靠性和高频率操作的场合表现出色。
2SK2147-01RL, 2SK2147-01
