时间：2025/9/2 3:24:02
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HYG180N10LS1C2 是一款由 IXYS 公司生产的高性能功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率密度和高效率的应用场合。该器件采用先进的沟槽技术，具有较低的导通电阻和优异的开关性能。HYG180N10LS1C2 特别适用于 DC-DC 转换器、电机驱动、电池管理系统、电源管理以及工业自动化设备等需要高可靠性和高效能功率开关的应用场景。
类型：功率MOSFET
通道类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：180A
最大漏源电压（VDS）：100V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约1.7mΩ（典型值）
功率耗散（Ptot）：400W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-263（表面贴装）或TO-247（通孔）
栅极电荷（Qg）：约160nC
开启阈值电压（VGS(th)）：2V ~ 4V
漏电流（IDSS）：≤250μA（@VDS=100V）
HYG180N10LS1C2 的核心特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供更高的电流承载能力和更优的热稳定性。此外，其高功率耗散能力和宽泛的工作温度范围，使其能够在高负载和高温环境下稳定运行。该MOSFET还具有良好的抗雪崩能力，增强了在极端工况下的可靠性。
该器件的栅极驱动特性也较为优异，栅极电荷（Qg）相对较低，有助于降低开关损耗，提高开关速度。其开启阈值电压（VGS(th)）在2V到4V之间，确保了与标准逻辑驱动电路的兼容性，同时防止误开通。此外，HYG180N10LS1C2 还具备较高的短路耐受能力，适用于要求快速响应和高稳定性的工业和汽车电子应用。
HYG180N10LS1C2 广泛应用于各种高功率电子系统中，包括但不限于：DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机控制电路、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电动工具、电动汽车充电系统以及工业自动化设备中的功率开关模块。其高效率和高可靠性使其成为工业级和汽车级应用的理想选择。
HYG180N10LS1C2 的替代型号包括 IXYS 的 HYG180N10LS1C 和 HYG180N10LS1C3，以及 Infineon 的 BSC180N10NS5 和 ON Semiconductor 的 NVTFS5C471NL。
