类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极电流（ID）：最大 10A
　　漏源电压（VDS）：最大 100V
　　栅源电压（VGS）：最大 ±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值 1.0Ω（在 VGS=10V 时）
　　功率耗散（PD）：最大 1.0W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

S102CT1K0000T 功率 MOSFET 的核心特性之一是其低导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。该器件的 RDS(on) 在 VGS=10V 时典型值为 1.0Ω，使得其适用于中高功率应用。此外，该 MOSFET 具有快速开关特性，降低了开关损耗，有助于实现高频操作，适用于现代高效开关电源（SMPS）系统。
　　该器件的封装采用 TO-252（DPAK）形式，具有良好的散热性能，能够在较高功率条件下保持稳定工作。这种封装也便于 PCB 安装和散热片连接，适合高功率密度设计。S102CT1K0000T 还具有较高的热稳定性，确保在高负载条件下仍能保持可靠运行。
　　另一个重要特性是其栅极驱动电压范围较宽，支持从 4.5V 到 20V 的 VGS 操作，这使其兼容多种驱动电路设计，包括由微控制器或专用驱动 IC 控制的应用。同时，该器件具备较高的雪崩能量承受能力，增强了其在高压或瞬态条件下的耐用性。

S102CT1K0000T 广泛应用于各类功率电子系统中。在电源管理领域，它常用于 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关设计，特别是在中高功率密度的电源模块中表现优异。由于其优异的导通和开关性能，该 MOSFET 也适用于电机控制、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率开关电路。
　　在消费电子领域，S102CT1K0000T 可用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理模块，提供高效、紧凑的功率控制解决方案。此外，在汽车电子系统中，如车载充电器、DC-DC 转换器和车身控制模块中，该器件也表现出良好的稳定性和可靠性。
　　对于工业应用，S102CT1K0000T 常用于伺服驱动器、PLC 控制系统和不间断电源（UPS）系统，支持高效、可靠的功率管理方案。

Si4442DY, IRFZ44N, FDPF6N50, IPB045N04LC G