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S102CT1K0000T 发布时间 时间:2025/7/22 18:35:08 查看 阅读:7

S102CT1K0000T 是一款由 Vishay Siliconix 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要设计用于高效率电源转换和功率控制应用。该器件具有低导通电阻、高功率密度和优异的热性能,适合用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统等电路中。S102CT1K0000T 采用先进的 TrenchFET 技术,使其在较小的封装中实现更高的性能和更低的损耗。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏极电流(ID):最大 10A
  漏源电压(VDS):最大 100V
  栅源电压(VGS):最大 ±20V
  导通电阻(RDS(on)):典型值 1.0Ω(在 VGS=10V 时)
  功率耗散(PD):最大 1.0W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-252(DPAK)

特性

S102CT1K0000T 功率 MOSFET 的核心特性之一是其低导通电阻,这有助于减少导通状态下的功率损耗,提高系统效率。该器件的 RDS(on) 在 VGS=10V 时典型值为 1.0Ω,使得其适用于中高功率应用。此外,该 MOSFET 具有快速开关特性,降低了开关损耗,有助于实现高频操作,适用于现代高效开关电源(SMPS)系统。
  该器件的封装采用 TO-252(DPAK)形式,具有良好的散热性能,能够在较高功率条件下保持稳定工作。这种封装也便于 PCB 安装和散热片连接,适合高功率密度设计。S102CT1K0000T 还具有较高的热稳定性,确保在高负载条件下仍能保持可靠运行。
  另一个重要特性是其栅极驱动电压范围较宽,支持从 4.5V 到 20V 的 VGS 操作,这使其兼容多种驱动电路设计,包括由微控制器或专用驱动 IC 控制的应用。同时,该器件具备较高的雪崩能量承受能力,增强了其在高压或瞬态条件下的耐用性。

应用

S102CT1K0000T 广泛应用于各类功率电子系统中。在电源管理领域,它常用于 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关设计,特别是在中高功率密度的电源模块中表现优异。由于其优异的导通和开关性能,该 MOSFET 也适用于电机控制、电池管理系统(BMS)以及工业自动化设备中的功率开关电路。
  在消费电子领域,S102CT1K0000T 可用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理模块,提供高效、紧凑的功率控制解决方案。此外,在汽车电子系统中,如车载充电器、DC-DC 转换器和车身控制模块中,该器件也表现出良好的稳定性和可靠性。
  对于工业应用,S102CT1K0000T 常用于伺服驱动器、PLC 控制系统和不间断电源(UPS)系统,支持高效、可靠的功率管理方案。

替代型号

Si4442DY, IRFZ44N, FDPF6N50, IPB045N04LC G