时间：2025/9/2 19:51:25
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JX2N1984是一款常见的N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛用于电源管理和开关电路中。该器件具有高效率、低导通电阻和良好的热稳定性，适用于多种电子设备的设计与制造。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：5A
导通电阻（RDS(on)）：约0.65Ω（最大值）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220、TO-92等
JX2N1984具有出色的电气性能和热性能，适用于多种高功率应用。其低导通电阻可降低功耗并提高系统效率，同时在高电流条件下保持较低的温升。此外，该器件具有较高的耐压能力，可承受较高的漏源电压，确保在恶劣环境下的稳定性。JX2N1984采用标准TO-220或TO-92封装，便于安装和散热管理，适合广泛应用于各种电子设备中。
该MOSFET具备良好的开关特性，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、电机驱动器和负载开关。其栅极驱动特性简单，能够与常见的驱动电路兼容，降低了设计复杂度。此外，JX2N1984在导通和关断状态下的损耗较低，有助于提高整体系统的能效，延长设备的使用寿命。
JX2N1984常用于电源管理、电机控制、LED驱动、电池充电器、逆变器和DC-DC转换器等应用。它也可用于需要高效开关和高电流承载能力的工业控制设备、家用电器和汽车电子系统。
2N1984, IRF510, 2N6764
