1MN10T1G 时间：2025/8/13 12:30:47 阅读：14

1MN10T1G 是一款由 ON Semiconductor 生产的表面贴装 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率的功率转换和开关应用。由于其低导通电阻（RDS(on)）和高电流能力，1MN10T1G 非常适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及电池供电设备中的功率管理。该器件采用先进的沟槽技术，提供优异的性能和可靠性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：7.3A
　　导通电阻 RDS(on)：最大 180mΩ @ VGS = 10V
　　导通阈值电压 VGS(th)：1V ~ 2.5V
　　功耗（PD）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

1MN10T1G MOSFET 具有多个显著的电气和热性能优势。其低导通电阻 RDS(on) 最大仅为 180mΩ，在 VGS = 10V 时可显著降低功率损耗，提高系统的整体效率。这种低电阻特性使得该器件非常适合用于高频开关应用，因为它减少了开关过程中的能量损失。
　　该 MOSFET 的最大漏源电压为 100V，支持广泛的应用场景，包括电源管理和电机控制。同时，其栅源电压范围为 ±20V，提供了良好的栅极控制稳定性，并减少了栅极击穿的风险。
　　此外，1MN10T1G 的最大连续漏极电流为 7.3A，能够在较高负载条件下保持稳定运行。其导通阈值电压范围为 1V 至 2.5V，确保在不同驱动条件下均能可靠导通。
　　该器件采用 TO-252（DPAK）封装，具有良好的热管理和表面贴装能力，适合自动化的 PCB 装配流程。其功耗为 2.5W，在高功率应用中仍能保持良好的散热性能。工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，使其适用于各种恶劣环境条件下的工业和汽车应用。

应用

1MN10T1G MOSFET 广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　DC-DC 转换器：用于高效电源转换系统，如升压（Boost）、降压（Buck）转换器等。
　　负载开关：用于控制电源路径，如在便携式设备中管理电池供电。
　　电机控制：用于驱动小型电机或继电器，实现精确的速度和方向控制。
　　电池管理系统（BMS）：用于监控和控制电池充放电过程，提高电池使用寿命。
　　工业自动化：用于工业控制系统中的开关和功率管理。
　　消费类电子产品：如笔记本电脑、平板电脑和智能家电中的电源管理电路。
　　汽车电子：用于汽车中的各种功率控制应用，如车灯控制、电动座椅调节等。