2SK2133-Z 时间：2025/7/23 20:32:28 阅读：5

2SK2133-Z是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频开关应用，例如电源转换器、DC-DC转换器、电机驱动电路等。该器件采用先进的沟槽式工艺，具备低导通电阻（RDS(on)）和高开关速度的特性，能够在较高的频率下实现高效的功率转换。此外，2SK2133-Z的封装形式为TO-220，适用于多种工业和消费类电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：12A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.038Ω（典型值）
　　功率耗散（PD）：40W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220

特性

2SK2133-Z具有多个关键性能优势。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通状态下的功率损耗，提高整体效率，从而实现更高的能量利用率。其次，该MOSFET采用了先进的沟槽结构技术，提升了器件的开关速度，适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用，有助于减小电感和变压器的体积，提高系统功率密度。
　　此外，2SK2133-Z具有较高的栅极驱动兼容性，支持标准的10V栅极驱动电压，同时也支持较低的栅极驱动电压（如4.5V），适用于多种驱动电路设计。该器件还具备良好的热稳定性和过热保护能力，在高温环境下仍能保持稳定运行。
　　在封装方面，TO-220封装提供了良好的散热性能，适用于中高功率应用场景，并且具有较高的机械强度和可靠性，便于安装和散热片连接。此外，该MOSFET具有较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），有助于减少开关过程中的能量损耗，提升整体系统的动态响应性能。

应用

2SK2133-Z广泛应用于多种电源管理与功率电子系统中。例如，在DC-DC降压或升压转换器中，该MOSFET可用于高频开关，实现高效的电压转换，适用于便携式设备、工业控制设备和车载电子系统。此外，它也适用于电机驱动电路、电池充电器、负载开关和电源分配系统等应用场景。
　　在消费类电子产品中，如笔记本电脑、平板电脑和智能电视的电源管理系统中，2SK2133-Z可以作为主功率开关或同步整流器使用，提高整体电源效率。在工业自动化设备中，该MOSFET可用于伺服电机控制、PLC电源模块以及工业电源系统中的功率转换环节。
　　由于其良好的开关性能和热稳定性，2SK2133-Z也适用于LED照明驱动电路、太阳能逆变器以及小型不间断电源（UPS）系统等绿色能源相关应用。