类型：N沟道JFET
　　最大漏极电压（Vds）：25V
　　最大栅极电压（Vgs）：-25V
　　最大漏极电流（Id）：10mA
　　跨导（Gm）：2000 μS 至 5000 μS
　　截止频率（fT）：100 MHz
　　噪声系数（NF）：典型值1.5 dB
　　工作温度范围：-65°C 至 +200°C
　　封装形式：TO-72

2N2351的主要特性包括其优异的低噪声性能和良好的高频响应。由于其N沟道JFET结构，它在射频应用中表现出色，特别适用于前置放大器和信号增强电路。该器件的跨导（Gm）在2000 μS到5000 μS之间，确保了良好的增益控制能力。此外，2N2351具有较高的输入阻抗，有助于减少对信号源的负载影响，提高电路的稳定性。
　　该晶体管的漏极和源极之间的最大电压为25V，栅极电压的最大绝对值为-25V，这使得它在常规的模拟电路设计中具有较高的耐压能力。漏极电流最大为10mA，适用于低功耗应用场景。其截止频率（fT）达到100 MHz，表明该器件能够在高频条件下保持良好的放大性能。
　　2N2351的TO-72金属封装不仅提供了良好的散热能力，还增强了器件的机械稳定性和抗干扰能力。这种封装形式也便于手工焊接和安装，在实验和小批量生产中具有较高的灵活性。

2N2351常用于射频放大器、前置放大器、低噪声放大器（LNA）以及通信系统中的模拟信号处理电路。它在测试和测量设备（如频谱分析仪和信号发生器）中也广泛应用，用于提高信号的灵敏度和精度。此外，该器件还可用于音频放大器的前置级，以实现更高的音质表现。由于其良好的高频特性和低噪声系数，2N2351也适用于无线接收器和发射器电路中的信号放大。

2N3819, J310, BF245C, 2N5457