类型：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大漏极电流（Id）：8A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω
　　最大功耗（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

2SK2133-AZ MOSFET具有多项显著特性，使其在功率电子领域具有优异的性能表现。首先，其高漏源电压（600V）使其适用于高电压应用，如开关电源和功率因数校正电路。其次，低导通电阻（1.2Ω）有效减少了导通损耗，提高了系统效率。
　　此外，该器件的高漏极电流能力（8A）使其能够处理较大的负载电流，适用于各种功率放大和电源管理应用。其TO-220封装形式具有良好的散热性能，能够在较高温度下稳定工作，增强了器件的可靠性和耐用性。
　　2SK2133-AZ还具有快速开关特性，适合高频应用，能够减少开关损耗并提高响应速度。同时，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在极端温度条件下保持稳定的电气性能，从而延长设备的使用寿命。
　　综上所述，2SK2133-AZ凭借其高耐压、低导通电阻、高电流能力和优异的散热设计，在电源管理、电机控制、照明系统和功率放大器等领域表现出色，是一款性能优异的功率MOSFET。

2SK2133-AZ广泛应用于多种功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路、DC-DC转换器和逆变器。由于其高电压和高电流能力，该器件也常用于电机驱动和工业控制系统，以实现高效的能量转换和控制。
　　此外，2SK2133-AZ还可用于LED照明驱动电路，提供稳定的电流控制和高效的能量转换。在音频功率放大器中，该MOSFET能够提供低失真和高保真的音频输出，适用于高保真音响系统和专业音频设备。
　　在电动汽车和电池管理系统中，该器件也可用于电池充放电控制和能量管理系统，提高系统的整体效率和稳定性。其高可靠性和优异的热管理性能使其在高温和高湿度环境中也能稳定工作，适用于各种恶劣工作条件下的电子设备。

2SK1530, 2SK2230, IRFBC20