FS55X226K500EHG是一款高性能的MOSFET功率器件,属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件采用先进的制造工艺,在低导通电阻和高开关速度方面表现出色,适合用于各类电源管理应用和功率转换场景。其封装形式为TO-263(D2PAK),具有良好的散热性能。
该型号专为高效率和高可靠性设计,广泛应用于DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及各类工业电子设备中。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:50A
导通电阻:4.5mΩ
栅极电荷:35nC
总电容:280pF
功耗:250W
工作温度范围:-55℃至175℃
FS55X226K500EHG的主要特点是低导通电阻和快速开关能力,这使其能够显著降低功率损耗并提高系统效率。
此外,它还具备出色的热稳定性和耐热冲击能力,适用于恶劣的工作环境。器件的栅极阈值电压经过优化,可以与标准逻辑电平兼容,从而简化了驱动电路的设计。
它的封装形式提供了优越的散热性能,使得在高电流应用场景下也能保持较低的工作温度。整体而言,这款器件在性能、可靠性和成本之间取得了良好的平衡。
FS55X226K500EHG适用于多种功率电子领域,包括但不限于以下场景:
1. DC-DC转换器:作为主开关管或同步整流管,用于提升转换效率。
2. 电机驱动:支持高效无刷直流电机(BLDC)驱动中的功率输出级。
3. 工业自动化设备:如可编程逻辑控制器(PLC)、伺服驱动器等。
4. 负载开关:在汽车电子和消费类电子产品中用作高效的负载控制元件。
5. 充电器和适配器:用于实现紧凑、高效的功率转换方案。
FS55X226K500EFG, FS55X226K450EHG, IRF540N