2SK2101-01M 时间：2025/8/8 17:35:53 阅读：38

2SK2101-01M 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频功率放大和开关应用。该器件采用小型表面贴装封装（S-Mini3-F3），适用于便携式设备和高密度电路设计。其高功率密度和快速开关特性使其在射频（RF）和DC-DC转换器应用中表现出色。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：1.5A
　　最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约3.2Ω（典型值）
　　栅极阈值电压：1.0V至2.5V
　　最大功耗：200mW
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：S-Mini3-F3

特性

2SK2101-01M MOSFET具有低导通电阻，有助于降低功率损耗，提高效率。其小型封装设计适用于空间受限的应用，同时保持良好的热性能。此外，该器件具有快速开关特性，适用于高频应用，如射频功率放大器和DC-DC转换器。由于其低输入电容和反馈电容，该MOSFET在高频工作条件下表现出优异的性能。
　　该器件还具有良好的栅极氧化层可靠性，确保在高应力工作条件下长期稳定运行。2SK2101-01M适用于低电压和中等功率的开关电路，能够有效处理瞬态过载条件。其结构设计减少了寄生电感，有助于提高高频响应和降低电磁干扰（EMI）。
　　此外，2SK2101-01M具备良好的温度稳定性，可在宽温度范围内保持稳定的电气性能，适用于工业和汽车电子系统。该器件符合RoHS环保标准，适合无铅焊接工艺。

应用

2SK2101-01M MOSFET广泛应用于射频（RF）功率放大器、便携式通信设备、无线局域网（WLAN）模块和低功率DC-DC转换器。它还可用于电池供电设备中的高效电源管理电路，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。此外，该器件适用于需要快速开关和低导通损耗的工业控制系统、电机驱动器和传感器接口电路。由于其高可靠性和紧凑设计，2SK2101-01M也常用于汽车电子系统，如车载信息娱乐系统和远程信息处理模块。