类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压 (Vds)：20V
　　最大栅源电压 (Vgs)：12V
　　最大连续漏极电流 (Id)：100mA
　　导通电阻 (Rds(on))：约 3.5Ω（在 Vgs=4.5V）
　　功率耗散 (Pd)：200mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

RS1E-TR MOSFET 的主要特性之一是其低导通电阻，这使得在导通状态下电压降较小，从而提高了整体效率并减少了发热。由于其低 Rds(on)，该器件非常适合用于需要高效能和低功耗的应用场景。此外，RS1E-TR 的 SOT-23 小型封装形式使其非常适合空间受限的设计，如便携式电子设备和紧凑型电源模块。该器件还具有良好的热稳定性，能够在较高温度下保持稳定工作，适用于高温环境下的工业控制系统。RS1E-TR 的栅极驱动电压范围较宽，在 2.5V 至 12V 之间均可正常工作，这使其能够与多种驱动电路兼容，包括低压逻辑 IC。此外，RS1E-TR 的高可靠性设计确保了其在长时间运行和高负载条件下的稳定性，适合用于需要长期稳定工作的电源管理系统。综合来看，RS1E-TR 是一款性能优良、适用范围广泛的 N 沟道 MOSFET 器件。

RS1E-TR 广泛应用于各种电子设备中，包括但不限于便携式电子产品中的电源管理电路、小型 DC-DC 转换器、电池供电系统的负载开关控制、LED 驱动电路、低功耗传感器模块以及各种需要高效、低导通损耗的小型功率开关的场合。此外，RS1E-TR 也可用于工业控制系统中的信号切换和小型电机驱动电路。由于其良好的热稳定性和小尺寸封装，RS1E-TR 非常适合在空间受限但对效率和可靠性有一定要求的电子设计中使用。

2N7002K, BSS138, 2N3904