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2SK2097 发布时间 时间:2025/9/7 19:10:56 查看 阅读:5

2SK2097是一种N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由东芝公司制造。它专为高效率电源转换应用而设计,具有低导通电阻、高耐压和大电流能力,适用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关、马达控制等高功率电子设备中。2SK2097采用先进的沟槽式MOSFET技术,使其在导通状态下具有较低的Rds(on)值,从而减少功率损耗并提高系统效率。该器件通常采用TO-220或TO-252等封装形式,便于散热和安装。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极-源极电压(Vds):100V
  栅极-源极电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):70A(在Tc=25℃)
  脉冲漏极电流:280A
  导通电阻(Rds(on)):最大5.5mΩ(在Vgs=10V)
  栅极电荷(Qg):约180nC
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装类型:TO-220、TO-252

特性

2SK2097具有多个显著的技术特性,首先其低导通电阻(Rds(on))可显著降低导通损耗,从而提高整体系统效率。其次,该器件具有高耐压能力,漏极-源极间可承受高达100V的电压,适用于多种中高功率应用。此外,2SK2097具备较高的电流承载能力,连续漏极电流可达70A,并可在短时间内承受高达280A的脉冲电流,适合需要高瞬态电流的场合。
  该MOSFET采用先进的沟槽结构设计,提高了单位面积内的导电能力,同时优化了热性能,使其在高温环境下依然保持稳定运行。其±20V的栅极-源极电压耐受能力增强了器件在高噪声环境中的抗干扰能力,提高了系统的可靠性。
  此外,2SK2097的封装形式(如TO-220或TO-252)具有良好的散热性能,便于安装在散热片上,从而提高器件在高功率应用中的稳定性。其封装还具有良好的机械强度和电气绝缘性能,适用于多种工业和消费类电子产品。

应用

2SK2097广泛应用于各种高功率电子设备中,主要包括:开关电源(SMPS)中的主开关器件,用于高效转换和调节电压;DC-DC转换器中的功率开关,适用于电信设备、服务器电源和工业自动化系统;马达驱动电路中作为高速开关元件,控制直流马达的启停与调速;电池管理系统中用于控制大电流充放电;LED照明系统的恒流驱动电路;逆变器和不间断电源(UPS)中的功率开关元件;以及负载开关电路中实现快速、高效的电源切换。

替代型号

2SK2098, 2SK2100, IRF1404, IRF1405, Si7414DP, IPW90R120C3, FDP085N10

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