2SK2097 时间：2025/9/7 19:10:56 阅读：26

2SK2097是一种N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由东芝公司制造。它专为高效率电源转换应用而设计，具有低导通电阻、高耐压和大电流能力，适用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关、马达控制等高功率电子设备中。2SK2097采用先进的沟槽式MOSFET技术，使其在导通状态下具有较低的Rds(on)值，从而减少功率损耗并提高系统效率。该器件通常采用TO-220或TO-252等封装形式，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压(Vds)：100V
　　栅极-源极电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：70A（在Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流：280A
　　导通电阻(Rds(on))：最大5.5mΩ（在Vgs=10V）
　　栅极电荷(Qg)：约180nC
　　工作温度范围：-55℃至+175℃
　　封装类型：TO-220、TO-252

特性

2SK2097具有多个显著的技术特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，从而提高整体系统效率。其次，该器件具有高耐压能力，漏极-源极间可承受高达100V的电压，适用于多种中高功率应用。此外，2SK2097具备较高的电流承载能力，连续漏极电流可达70A，并可在短时间内承受高达280A的脉冲电流，适合需要高瞬态电流的场合。
　　该MOSFET采用先进的沟槽结构设计，提高了单位面积内的导电能力，同时优化了热性能，使其在高温环境下依然保持稳定运行。其±20V的栅极-源极电压耐受能力增强了器件在高噪声环境中的抗干扰能力，提高了系统的可靠性。
　　此外，2SK2097的封装形式（如TO-220或TO-252）具有良好的散热性能，便于安装在散热片上，从而提高器件在高功率应用中的稳定性。其封装还具有良好的机械强度和电气绝缘性能，适用于多种工业和消费类电子产品。

应用

2SK2097广泛应用于各种高功率电子设备中，主要包括：开关电源（SMPS）中的主开关器件，用于高效转换和调节电压；DC-DC转换器中的功率开关，适用于电信设备、服务器电源和工业自动化系统；马达驱动电路中作为高速开关元件，控制直流马达的启停与调速；电池管理系统中用于控制大电流充放电；LED照明系统的恒流驱动电路；逆变器和不间断电源（UPS）中的功率开关元件；以及负载开关电路中实现快速、高效的电源切换。