LZP60N06 时间：2025/5/23 20:56:40 阅读：12

LZP60N06是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252封装形式。这款器件主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。其设计旨在提供高效率和低导通损耗，适合于需要良好热性能和电气特性的应用环境。
　　该器件的最大工作电压为60V，具有较低的导通电阻，能够显著降低系统功耗，同时具备快速开关特性，有助于提高整体效率。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　持续漏极电流：18A
　　导通电阻（Rds(on)）：40mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
　　栅极电荷：33nC
　　总功耗：1.6W
　　工作结温范围：-55℃至+150℃

特性

LZP60N06具有以下特点：
　　1. 极低的导通电阻，能够在大电流应用中减少功耗并提升效率。
　　2. 高速开关能力，支持高频电路设计，从而减小磁性元件体积。
　　3. 较高的雪崩耐量，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
　　4. 符合RoHS标准，环保且可靠。
　　5. 小型化封装，便于PCB布局和散热设计。

应用

LZP60N06适用于多种电力电子领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS），如适配器和充电器。
　　2. DC-DC转换器，包括降压和升压拓扑结构。
　　3. 电机驱动，用于控制直流无刷电机或步进电机。
　　4. 负载开关，用于保护后端电路免受过流或短路的影响。
　　5. 电池管理系统中的充放电控制开关。