2SK2082 时间：2025/8/9 20:03:53 阅读：41

2SK2082是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET晶体管，主要用于高频开关应用和功率放大电路中。这款MOSFET具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，适用于各种电子设备中的功率控制和转换功能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：900V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大连续漏极电流(Id)：12A
　　最大功耗(Pd)：150W
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为0.45Ω
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220

特性

2SK2082具有多项显著的性能特点，使其适用于高频开关和功率转换应用。其最大漏源电压为900V，能够承受较高的电压应力，适用于高压环境下的工作场景。
　　该MOSFET的导通电阻较低，典型值为0.45Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。同时，该器件的热稳定性良好，能够在高温环境下保持稳定运行。
　　此外，2SK2082的最大连续漏极电流为12A，允许在较大的电流条件下进行高效工作。其最大功耗为150W，具备较强的散热能力，适用于高功率密度的设计。
　　该器件的封装形式为TO-220，便于安装和散热设计，适用于多种功率电子设备的制造。栅源电压范围为±30V，具有较强的栅极驱动兼容性，可与多种驱动电路配合使用。
　　总体而言，2SK2082是一款性能稳定、可靠性高的功率MOSFET，适用于各种高频开关电源、DC-DC转换器、电机控制和功率放大器等应用场景。

应用

2SK2082广泛应用于多个领域，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、功率放大器、电机驱动电路以及工业自动化设备中的功率控制模块。
　　在开关电源设计中，2SK2082凭借其高耐压和低导通电阻的特性，能够实现高效能的功率转换，提高电源的整体效率。
　　在DC-DC转换器中，该MOSFET可用于升压或降压电路，适用于电池供电设备、汽车电子系统以及便携式电子产品中的电压调节。
　　在功率放大器设计中，2SK2082能够提供良好的高频响应和高输出功率，适用于音频放大、射频放大等应用。
　　此外，该器件还可用于电机控制电路，如无刷直流电机驱动器、电动工具和工业自动化设备中的功率开关。
　　由于其封装形式为TO-220，散热性能良好，因此也适用于需要良好热管理的高功率密度设计。