时间：2025/9/14 4:12:36
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BUK7V4R2-40HX是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高电流、高效率的功率转换应用。该器件采用高性能TrenchMOS技术制造，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。BUK7V4R2-40HX通常用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及工业和汽车电子系统中。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：40V
漏极电流（ID）：150A
导通电阻（RDS(on)）：4.2mΩ
栅极电压（VGS）：10V
封装类型：PowerSO-10
工作温度范围：-55°C至175°C
BUK7V4R2-40HX具有多个关键特性，使其在功率应用中表现出色。首先，其极低的导通电阻（RDS(on)）为4.2mΩ，能够在高电流下保持较低的功耗和发热，从而提高整体系统的效率。其次，该器件采用先进的TrenchMOS技术，提供了更高的开关速度和更低的开关损耗，适用于高频开关应用。
此外，BUK7V4R2-40HX具有良好的热管理能力，能够在高温环境下稳定工作。其封装形式为PowerSO-10，具有良好的散热性能，适用于紧凑型设计。该MOSFET还具备较高的雪崩能量承受能力，有助于提升系统的可靠性和稳定性。
在电气特性方面，该器件的漏源电压（VDS）为40V，漏极电流（ID）可达150A，适合高功率密度应用。栅极驱动电压为10V，适用于常见的MOSFET驱动器电路。
BUK7V4R2-40HX广泛应用于各种高功率和高效率的电子系统中。例如，在电源管理模块中，它可用于同步整流、DC-DC转换器和负载开关控制，实现高效的能量转换和管理。在汽车电子领域，该器件可用于电池管理系统（BMS）、电动助力转向系统（EPS）以及车载充电器（OBC）等应用。
工业自动化和电机控制设备也是该MOSFET的典型应用场景，其高电流能力和低导通电阻能够有效降低功率损耗，提高系统效率。此外，由于其具备良好的热稳定性和高可靠性，BUK7V4R2-40HX也可用于高要求的通信电源、服务器电源和储能系统中。
SiR178DP, IPB011N04N, BSC042N04LS
