2SK2002是一种N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和各种高功率电子设备中。这款器件由东芝(Toshiba)生产,具有低导通电阻、高耐压和高电流处理能力,适用于高效、高可靠性的开关应用。2SK2002采用TO-220封装,便于散热和安装。该器件在电源转换系统中表现出良好的热稳定性和电气性能。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大漏极电流(Id):5A(连续)
导通电阻(Rds(on)):0.65Ω(最大值)
最大功耗(Pd):30W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:TO-220
2SK2002具有多项优秀的电气和热性能,使其在多种功率应用中表现出色。其低导通电阻(Rds(on))确保了在导通状态下的功率损耗最小化,从而提高了整体系统的效率。此外,该器件的高耐压能力(60V漏源电压)使其适用于各种中高功率电源系统。2SK2002的栅极驱动电压范围较宽,允许使用常见的10V或12V驱动电路,确保快速开关并减少开关损耗。该器件还具有良好的热稳定性,结合TO-220封装的散热能力,可以在高负载条件下长时间稳定工作。此外,2SK2002具备较高的抗干扰能力和短路耐受能力,适合用于需要高可靠性的工业控制系统。其封装设计也便于安装和更换,适用于各种电路板布局。
2SK2002广泛应用于多种电源和功率控制电路中。其主要用途包括DC-DC转换器、开关电源(SMPS)、电机驱动器、电池充电器和LED照明系统。在工业自动化设备中,该器件常用于控制高功率负载的开关操作,如继电器、电磁阀和加热元件。由于其良好的热稳定性和高可靠性,2SK2002也适用于需要长期稳定运行的通信设备、安防系统和医疗电子设备。此外,该MOSFET在电动车、储能系统和太阳能逆变器等新能源应用中也有广泛使用。
2SK2003, 2SK2004, IRFZ44N, IRF540