类型：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大连续漏极电流（Id）：4A
　　最大脉冲漏极电流（Id_pulse）：12A
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：25mΩ @ Vgs=10V, Id=2A
　　导通电阻（Rds(on)）：35mΩ @ Vgs=4.5V, Id=2A
　　阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：500pF @ Vds=15V
　　反向恢复时间（trr）：25ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23

2SK1568具备优异的电气特性和热稳定性，使其成为众多中低功率开关应用的理想选择。其核心特性之一是低导通电阻（Rds(on)），在Vgs=10V时仅为25mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了电源系统的整体效率。这一特性特别适用于电池供电设备，如智能手机、平板电脑和便携式医疗仪器，有助于延长续航时间。同时，在Vgs=4.5V条件下仍能保持35mΩ的低阻值，表明该器件可在低压逻辑电平下有效工作，兼容3.3V或5V微控制器直接驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计。
　　该MOSFET采用先进的硅栅极技术，实现了快速的开关响应能力，输入电容仅为500pF，减少了栅极驱动所需的能量，进一步提升了高频切换效率。这对于高频DC-DC变换器、同步整流电路和脉宽调制（PWM）控制系统尤为重要。快速的开关速度还能减少开关过程中的交越损耗，避免因长时间过渡状态导致的发热问题。
　　2SK1568还具备良好的热性能和可靠性，其最大工作结温可达150°C，并支持在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定运行，适用于恶劣环境下的工业控制应用。器件内部结构经过优化，具备一定的抗雪崩击穿能力，能够在瞬态过压或感性负载切换时提供一定程度的自我保护。此外，其SOT-23封装不仅体积小巧，有利于节省PCB空间，而且具有良好的散热性能，通过合理的布局和敷铜设计可实现有效的热量传导。综合来看，2SK1568以其高性能、小尺寸和高可靠性，成为现代高效能电子系统中不可或缺的关键元件。

2SK1568广泛应用于多种电力电子系统中，尤其适合对空间和效率有较高要求的场合。常见应用包括便携式电子设备中的电源管理单元，例如手机、MP3播放器和蓝牙耳机中的电池充放电控制电路。在这些设备中，2SK1568常作为高端或低端开关用于同步降压转换器中，配合控制器实现高效的电压调节。此外，它也被用于LED驱动电路中，作为恒流源的开关元件，确保LED亮度稳定且能耗最低。
　　在工业控制领域，2SK1568可用于继电器驱动、电机控制和传感器供电模块中，凭借其快速响应和低导通损耗的优势，提升系统响应速度与能效。它还可作为热插拔电路中的主开关，防止带电插拔时产生浪涌电流，保护后级电路安全。在通信设备中，该器件可用于隔离电源域、实现不同电压轨之间的通断控制，保障信号完整性与系统稳定性。
　　由于其SOT-23小型封装，2SK1568特别适用于高密度印刷电路板设计，如可穿戴设备、物联网节点和微型传感器模块。其低压驱动特性也使其能够与现代低功耗MCU无缝对接，无需额外驱动芯片，降低了物料成本和设计复杂度。总之，无论是在消费类电子产品还是工业自动化系统中，2SK1568都展现出强大的适应性和实用性。

2SK1567
　　2SK1569
　　SI2304DS
　　AO3400